Arm宣布推出Arm Mali™-C78AE ISP，为其专为汽车应用的性能和安全而设计的IP产品组合再添新成员。搭配Cortex-A78AE与Mali-G78AE的Mali-C78AE，可提供完整的ADAS图像数据处理流水线，能够优化性能、最大限度地降低功耗，并提供一致的方法来实现功能安全，从而驱动ADAS在下一阶段的量产导入。
Mali-C78AE专为各种ADAS功能所需的人类和机器视觉安全应用而设计，并且能够处理来自多达4个实时摄像头或16个虚拟摄像头的数据。
Mali-C78AE从开发之初就具备硬件安全机制和软件诊断功能，使系统设计人员能够满足ISO 26262 ASIL B功能安全的要求。Mali-C78AE旨在防止或检测出单个摄像头帧中可能导致帧数据处理错误的故障。为此，该ISP具有380多个故障检测电路，持续内置自检，并可检测所连摄像头的传感器和硬件故障。
处理速度是Mali-C78AE的一大关键要素，其重要性不亚于安全性和用户体验。例如，从传感器获取图像，先后通过ISP和GPU进行处理，然后将其显示在屏幕上供驾驶员查看，整个过程应于150毫秒内完成；如果该过程耗时超过150毫秒，驾驶员会在使用停车辅助系统等功能时觉察到图像的延迟。而在机器视觉应用中，从获取摄像头图像到决策处理的整个过程，车辆移动距离不宜超过250毫米；若超过这个距离，则意味着机器视觉系统反应太慢，无法满足应对驾驶环境所需的准确且及时的决策要求。
2月22日，Microchip Technology（美国微芯科技公司）宣布推出市场上首款通过汽车级认证的第四代PCIe交换机。新发布的Switchtec™ PFX、PSX和PAX交换机解决方案为高级驾驶辅助系统（ADAS）提供了尖端的计算互连能力。
Switchtec第4代PCIe交换机提供高速互连，支持ADAS架构中的分布式实时安全关键数据处理。PCIe正在成为汽车行业首选的计算互连解决方案，其原因与它在数据中心市场得到广泛应用相同，它为CPU和专用加速器设备提供了超低延迟和低功耗的带宽可扩展性。
Switchtec汽车级第4代PCIe交换机现已投入生产。
2月21日，英飞凌科技推出了全新的OPTIGA™ TPM（可信平台模块）SLB 9672，旨在进一步提升系统的安全性。该TPM芯片采用基于后量子加密技术（也就是基于哈希的签名算法XMSS）的固件更新机制，是一款具有前瞻性的安全解决方案。
该机制能够抵御黑客利用量子计算机发起的攻击，保护固件免受损坏，同时它的抗量子计算的固件升级方式，可确保设备长期可用。OPTIGA TPM SLB 9672是一款标准化的解决方案，无需安装，开箱即用，可有效保护PC、服务器和联网设备的安全，防止非法访问，并验证软件状态，保护静态和在途数据的完整性、机密性。
OPTIGA TPM SLB 9672是英飞凌OPTIGA TPM系列安全芯片的新产品，也是业界首款采用后量子加密技术（PQC）进行固件更新的TPM，密钥长度为256位。凭借这种强大、可靠的更新机制，即使在标准算法不再可信的情况下，OPTIGA TPM SLB 9672也可以对固件进行升级。此外，该TPM芯片具有故障保护功能，可消除固件损坏带来的影响，从而提升计算性能。比如，其内置的故障保护功能可根据《NIST SP 800-193平台固件保护恢复规范》，成功修复TPM固件。
这款TPM芯片内部还集成了一个扩展的非易失性存储器，用来存储附加证书和加密密钥等。其安全评估和认证由独立机构根据国际通用准则（CC）和联邦信息处理标准（FIPS）的相关要求进行。这款全新的TPM芯片也完全符合可信计算组织（TCG）的要求（TPM 2.0 标准1.59版），并根据最新的TPM2.0标准进行了认证。
2月15日，Vishay推出六款新型3.4mm×3.4mm表面贴装850nm和940nm高功率红外（IR）发射器——VSMA1085250、VSMA1085400、VSMA1085600、VSMA1094250、VSMA1094400和VSMA1094600，辐照强度达到同类器件先进水平，进一步扩充其光电产品组合。新款Vishay半导体器件采用Vishay的SurfLight™表面发射器芯片技术，驱动电流高达1.5A DC，脉冲电流可达5A，适用于工业和消费电子应用。
日前发布的红外发射器采用双层芯片，5A脉冲电流下发光强度可达6000mW/sr，比上一代解决方案提升30%，比紧随其后的竞品器件高10%，从而加长照射距离，同时最大限度地减少器件数量，降低成本并节省空间。为了进一步节省空间，发射器的体积比竞品和上一代解决方案减小20%。
红外发射器适用于游戏眼球追踪以及CCTV、机器视觉、收费系统、车牌识别和一般红外照明夜视。对于这些应用领域，器件提高了辐照强度，三个半强角分别为± 28°、± 40°和± 60°，环境温度-40℃至+125℃，热阻低至6K/W至9K/W。
