IR推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。
全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗，并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能，从而提高可靠性，使其非常适合恶劣的工业环境。”
这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数，以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。
规格
采用封装形式
|
器件编号 |
封装 |
VCES |
IC (标称) |
Vceon |
Tsc (最小) |
|
IRG7PH30K10D |
TO-247AC |
1200 V |
10 A |
2.0 V |
10us |
|
IRG7PH30K10D-E |
TO247AD 长引线 |
1200 V |
10 A |
2.0 V |
10us |
|
IRG7PH37K10D |
TO-247AC |
1200 V |
15 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7PH37K10D-E |
TO247AD长引线 |
1200 V |
15 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7PH44K10D |
TO-247AC |
1200 V |
25 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7PH44K10D-E |
TO247AD长引线 |
1200 V |
25 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7PH50K10D |
TO-247AC |
1200 V |
40 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7PH50KD-E |
TO247AD长引线 |
1200 V |
40 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7PSH54K10D |
Super TO-247 |
1200 V |
50 A |
1.9 V |
10us |
采用裸片形式
|
器件编号 |
VCES |
IC (标称) |
Vceon |
Tsc (最小) |
|
IRG7CH30K10B |
1200 V |
9 A |
2.0 V |
10us |
|
IRG7CH37K10B |
1200 V |
15 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7CH44K10B |
1200 V |
25 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7CH50K10B |
1200 V |
35 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7CH54K10B0-R |
1200 V |
50 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7CH73K10B-R |
1200 V |
75 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7CH75K10B-R |
1200 V |
100 A |
1.9 V |
10us |
|
IRG7CH81K10B-R |
1200 V |
150 A |
1.9 V |
10us |
相关产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
