IR近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。
全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管，以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试，能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。新器件提供插入式封装和表面贴装D2-PAK封装选择。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR的 60V StrongIRFET器件系列具有超低导通电阻，而且完全通过严格的行业级雪崩测试，以确保产品坚固耐用。新器件提供具有基准性能的MOSFET，针对工业市场需求进行了优化。”
规格
采用插入式封装的60V StrongIRFET
|
器件编号 |
BVDSS |
25°C下的ID |
VGS为10V时的最大导通电阻 |
VGS为10V时的栅极电荷 |
封装 |
|
IRFB7530 |
60V |
195A |
2.0 |
274 |
TO-220 |
|
IRFP7530 |
TO-247 |
||||
|
IRFB7534 |
2.4 |
186 |
TO-220 |
||
|
IRFB7537 |
3.3 |
142 |
TO-220 |
||
|
IRFP7537 |
TO-247 |
||||
|
IRFB7540 |
110A |
5.1 |
88 |
TO-220 |
|
|
IRFB7545 |
85A |
5.9 |
75 |
||
|
IRFB7546 |
58A |
7.3 |
58 |
采用表面贴装D2-PAK封装的60V StrongIRFET
|
器件编号 |
BVDSS |
25°C下的ID |
VGS为10V时的最大导通电阻 |
VGS为10V时的栅极电荷 |
封装 |
|
IRFS7530-7P |
60V |
240A |
1.4 |
236 |
D2-PAK-7 |
|
IRFS7534-7P |
1.9 |
200 |
|||
|
IRFS7530 |
195A |
2.0 |
274 |
D2-PAK |
|
|
IRFS7534 |
2.4 |
180 |
|||
|
IRFS7537 |
3.3 |
142 |
|||
|
IRFS7540 |
110A |
5.1 |
88 |
