耐辐射器件拓展了空间应用的以太网连接功能
以太网在航天器中的应用越来越广泛，它可以提高硬连线系统间的通信速度和数据传输速率，为卫星和其他航天器之间实现互操作性创造了条件。鉴于以太网在太空领域的应用日趋广泛，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日发布了业界首款宇航级耐辐射以太网收发器。新推出的产品以其他行业广泛采用的商用现货（COTS）解决方案为基础，可为运载火箭、卫星组网和太空站等应用提供可靠性能。
新发布的VSC8541RT耐辐射以太网收发器正处于样片阶段。此外，Microchip的新型SAM3X8ERT耐辐射单片机（采用最新的Arm® Cortex®-M3核处理器和嵌入式以太网控制器）已通过最终认证。两款产品可单独或共同使用，以满足太空领域对耐辐射器件的需求。
两款产品均以COTS为基础，按照高度可靠的质量流程打造，具有更高的耐辐射性能，有塑料和陶瓷两种封装规格。COTS产品和同等宇航级产品采用相同的引脚分配模式，这样设计人员可以采用COTS器件进行设计，并在随后迁移至宇航级元件，从而大幅缩短开发时间，降低开发成本。
Microchip航空航天和国防业务部助理副总裁Bob Vampola表示：“作为第一家为快速增长的高可靠性以太网市场提供耐辐射收发器和增强型耐辐射单片机的公司，Microchip将继续利用优质可靠的解决方案助力太空业的发展和革新。Microchip基于COTS的宇航级处理器件的性能和规格，完全能够满足近地轨道卫星星座、深空探测任务等领域不断变化的需求。”
Microchip提供各类基于COTS、为以太网连接提供支持的耐辐射微电子器件，新推出的最新器件是其中一部分，它们广泛应用于卫星平台、数据载荷、传感器总线控制、远程终端通信、航天器网络、空间站模块连接等领域。
VSC8541RT收发器是单端口千兆位以太网铜物理层器件，设有GMII、RGMII、MII和RMII接口。它的耐辐射性能已经过验证，并在报告中有详细记录。VSC8541RT的闭锁抗扰度高达78 Mev，可耐受100 Krad的总电离剂量效应值（TID）。VSC8540RT收发器的位传输速率为100 MBps，相对有限，但采用与VSC8541RT同样的耐辐射管芯和封装，而且也有塑料和陶瓷两种封装规格，因而客户可根据目标应用的需求选择性价比最合适的产品。
SAM3X8ERT耐辐射单片机部署在系统级芯片（SoC）上，采用应用广泛的Arm® Cortex®-M3核处理器，与该处理器的工业版本生态系统一样，能提供100 DMIPS的处理能力。SAM3X8ERT迎合了太空业系统整合的趋势，使得更先进的技术可以应用于太空领域。除以太网功能之外，SAM3X8ERT还包含512 KB双分区闪存、100 KB SRAM、ADC、DAC和双CAN控制器。
这些最新器件丰富了Microchip的耐辐射和抗辐射硬件处理解决方案产品线，并可使用与SAMV71Q21RT Arm® M7系列单片机（处理能力最高为600 DMIPS）和ATmegaS128/64M1系列8位单片机相同的开发工具。
开发工具
对于SAM3X8ERT，开发人员可采用Arduino Due商用工具包进行开发；对于VSC8541RT，则可以采用VSC8541EV评估工具包，从而推动设计进程、加快产品上市。SAM3X8ERT器件由Atmel Studio集成开发环境提供支持，用于开发、调试并提供软件库。
产品供货
塑料或陶瓷封装的VSC8541RT器件目前正处于样片阶段。SAM3X8ERT合规器件目前已实现量产。SAM3X8ERT和VSC8541RT在原型开发阶段均采用陶瓷封装，目前采用宇航级陶瓷和高可靠性塑料进行封装。SAM3X8ERT采用QFP144封装，VSC854xRT采用CQFP68封装。如需更多产品信息，请访问。
