onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及应用

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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一个全桥和一个热敏电阻的电源模块。这些mosfet具有热敏电阻和压合销。NXH0x0F120MNF1模块提供预应用热接口材料(TIM)和不预应用TIM选项。这些模块理想地用于太阳能逆变器，不间断电源，电动汽车充电站和工业电源。NXH0x0F120MNF1模块为无铅、无卤化物、符合RoHS标准。这些模块的存储温度范围为-40°C至150°C，工作结温度范围为-40°C至175°C。

特性

• 40m/1200V SiC MOSFET半桥(NXH040F120MNF1)

• 20m/1200V SiC MOSFET半桥(NXH020F120MNF1)

• 热敏电阻

• 压配合针

• 有预应用热界面材料(TIM)和不预应用热界面材料的选项

• 该产品不含铅、卤化物，符合RoHS标准

规范

• -40℃~ 150℃的存储温度范围

• -40℃的最低工作结温度

• 最高工作结温度175°C

• -40°C至175°C的模块工作结温度

应用程序

• 太阳能逆变器

• 不间断电源

• 电动汽车充电站

• 工业强国

原理图