分立式氮化镓（GaN）晶体管已投入生产十多年了，目前这项技术已成熟了很多。事实证明，GaN器件比硅功率MOSFET器件具有更高的性能和更低的成本。但是，GaN晶体管现在的优势还仅在于器件本身；未来则可以通过将多个GaN器件集成到单个芯片上，构建完整的电源系统，而发挥更大的优势。
ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”即将于2020年11月5日在深圳召开，大会的主题是“重思、重构、重升”（ ，）。本届大会将邀请到EPC公司首席执行官Alex Lidow这位重要演讲嘉宾，为我们带来“Redefining Power Conversion with Gallium Nitride Integrated Circuits”（用GaN IC重新定义电源转换）的主题演讲。
宜普公司（EPC）联合创始人兼CEO Alex Lidow
Alex Lidow是宜普公司（EPC）联合创始人兼CEO，曾任国际整流器（IR）公司CEO。他是HEXFET功率MOSFET的共同发明者，拥有21项功率半导体技术专利。Lidow曾获得2015年北美SEMI奖，以表彰他在新材料功率器件商业化方面做出的贡献。他获得了加州理工的应用物理学士，以及斯坦福大学应用物理博士学位。
据了解，今年初，宜普电源转换公司（EPC）推出了首个全新的IC系列产品，为DC/DC转换、电机驱动及D类放大器等高功率密度应用提供了更高性能及更小型化的解决方案。
EPC推出的这款80V、12.5A功率级IC EPC2152，专为48V DC/DC转换而设计，用于具有高功率密度的计算应用以及针对电动汽车的电机驱动器。这款GaN IC器件内部集成了一个单芯片驱动器，以及一个基于eGaN FET、采用EPC专有GaN IC技术的半桥功率级。在单芯片上集成了输入逻辑接口、电平转换电路、自举充电电路、栅极驱动器的缓冲电路以及配置为半桥器件的输出eGaN FET，从而实现芯片级LGA封装、细小的外形尺寸（3.9mm×2.6mm×0.63mm）。
当48V转12V降压转换器在1MHz的开关频率下工作时，EPC2152 ePower功率级IC可实现高于96%的峰值效率，相比采用多个分立器件的解决方案，这个IC在PCB的占板面积少33%。
EPC2152是该系列的首个产品。该系列在未来会进一步推出采用芯片级封装（CSP）及多芯片四方扁平模块（QFM）的功率级IC。EPC还将在未来一年内将推出可在高达3至5MHz频率范围工作、每级功率级的电流可高达15A至30A的产品。
借助这一产品系列，设计人员就可以更容易地发挥GaN技术的性能优势。集成多个器件在单芯片上，设计师可以更容易设计、布局、组装、节省占板面积及提高效率。
Alex Lidow表示，分立式功率晶体管正在进入它的最后发展阶段。硅基氮化镓IC可以实现更高的性能、占板面积更小，并可省去很多的所需工程。“这个全新的功率级IC系列是氮化镓功率转换领域的最新发展里程，从集成多个分立式器件，以至集成更复杂的解决方案都可以，从而实现硅基解决方案所不能实现的电路性能，使得功率系统工程师可以更容易设计出高效的功率系统。”他补充说。
本次全球CEO峰会上，Alex Lidow将从以下四个部分系统性地讲解GaN技术的来龙去脉：
1. GaN发展的历史背景及其背后的推动力；
2. 目前最先进的技术；
3. 制造IC的实际方法及其最先进的技术和优势；
4. 展望未来数年内GaN技术带来的变化。
综上所述，GaN技术的崛起，以及全新的GaN IC，正在重新定义电源转换，并将为业界带来最大的性能优势。
