据业内信息报道，印度研究院(SSIR)近日表示将与印度科学研究所(IISc)建立合作关系共同推动印度半导体研发，初期将致力于促进片上静电放电(ESD)保护领域。
据悉，三星半导体印度研究院否认总经理 Balajee·Sowrirajan 和 印度科学研究所主任 Govindan·Rangarajan 交换了研究协议。目前该合作伙伴关系旨在构建尖端的ESD 设备解决方案，以保护高级集成电路和 SoC 产品中的超高速串行接口。
相关研究将由印度科学研究所电子系统工程系的 Mayank·Shrivastava 小组进行，官方表示该研究产生的解决方案也将部署在三星的先进工艺节点中。
据悉，集成电路和 SoC 产品对于现阶段的所有系统都是必不可少的，对 ESD 故障非常敏感，尤其是那些使用先进的纳米级 CMOS(互补金属氧化物半导体)技术开发的系统。而印度科学研究所是世界领先的 ESD 器件研究领域为数不多的研究所之一。
“我们很高兴与 IISc 合作以促进半导体创新，并设想开发 ESD 知识以及 IISc 中可用的专业知识。我们的目标还包括通过研究生级别的培训计划加强能力建设，为学生提供行业实习机会，并鼓励年轻研究人员创业，”Sowrirajan 表示“我们很高兴能与三星半导体印度研究院在先进纳米电子设备研究的关键领域展开合作。这种伙伴关系加强了我们加强行业与学术界合作的承诺，这将在未来几年产生重大影响。”
三星半导体印度研究院是电子的子公司，是促进半导体技术硬件开发和软件驱动解决方案增长的技术中心。印度科学研究所是印度顶尖的学术机构，提供世界一流的教育以培养科学和工程领域的未来领导者。
“我们一直在与全球半导体行业就先进的纳米电子技术进行广泛合作，包括针对先进 SoC 的 ESD 可靠性威胁的解决方案。我们对 ESD 保护器件进行了基础研究和应用研究，重点是在一系列技术节点中为行业创造实用的解决方案，”MSDLab 的负责人 Mayank Shrivastava 表示将领导这项合作工作。
