【导读】据 TheElec 获悉，三星将于明年完成其新 P3 代工厂的建设。但根据最初计划，这家科技巨头原计划年内完工。消息人士称，三星上月底才开始建设该工厂的洁净室。这反映了从今年早些时候NAND生产线的建设也推迟了一个月开始的延迟。消息人士补充说，那个月的延迟推迟了其他阶段的时间表。
P3 的建设于 2020 年年中开始，这是三星迄今为止最大的晶圆制造工厂，占地 70 万平方米。
这是一个混合工厂，这意味着它将制造内存和逻辑芯片。工厂内 DRAM 生产线的无尘室已经完成。值得一提的，三星的NAND 生产线的洁净室可能会在 2023 年第一季度完工并投入使用。
菲律宾MLCC工厂开工率降至40%
TheElec 同时指出，三星电机在菲律宾的多层陶瓷电容器 (MLCC) 工厂的开工率已降至 40%。这是由于对 MLCC 的需求减少，这也影响了 Murata Manufacturing 和 Taiyo Yuden。
三星电机及其供应商最近派遣员工前往菲律宾，为工厂提供更多支持。他们中的大多数人最近回来了。消息人士称，供应商计划在 12 月初在工厂进行的部分工作也已推迟到明年。
三星电机在韩国釜山以及中国天津和菲律宾生产 MLCC。
但这家韩国零部件制造商最近减少了通用 MLCC 的产量，因为最近全球经济低迷对 IT 市场的影响最大，导致需求下降。例如，天津的需求仍然强劲，因为那里的工厂生产的 MLCC 主要用于汽车和工业用途，而不是 IT。
2020年和2021年，三星电机的MLCC等元器件工厂的开工率在80%中后期到90%左右。
但这一比例在今年第一季度下降到 70%，然后在整个上半年上升到 74%。但到了三季度，累计开工率下降到65%；剔除上半年，开工率为48%。
村田制作所7-9月剩余订单为1945亿日元，较去年的2200亿日元有所下降。该公司表示，个人电脑市场需求放缓是原因。太阳诱电也标志着本季度剩余订单连续第五次下降。
三星电子逆势提高供应和资本支出
三星电子在十月底表示，该公司记忆体芯片供应成长将比同业快，资本支出也将按既定计划进行。三星电子此举和半导体业日益忧心衰退而打算减产和削减资本支出的趋势背道而驰。
分析师指出，三星电子明显的信心透露出，该公司打算趁全球科技需求大幅走下坡之际，巩固其在记忆体芯片市场的主导地位，并在晶圆代工产业迎头赶上强敌台积电。
三星电子当时宣布，三星电子副会长、三星集团实际掌权人李在镕出任会长。李在镕是三星这项决策的幕后推手。
三星电子今天公布季度获利衰退31%。记忆体晶片事业执行副总裁韩进万（Han Jin-man，音译）告诉分析师：「我们不考虑人为减产。」
「市场需求现在固然萎缩，但我们必须准备因应中长期的需求复苏。」
三星电子表示，该公司2023年记忆体芯片投资计划不致有太多变化。相较之下，竞争对手SK海力士（SK Hynix）则是警告，记忆体芯片需求空前恶化，并削减2023年资本支出逾五成。
全球晶圆代工龙头台积电稍早前也宣布削减2022年资本支出至少10%，并对未来需求抱持更为谨慎的态度。
三星电子表示，地缘政治不确定性可能拖累半导体需求，这种情况将会一直持续到2023年初。至于NAND快闪记忆体芯片，三星预测2023年恐怕不会复苏。
尽管如此，该公司将比同业以更快的速度提高记忆体芯片出货。三星并未公布供应计划的确切细节。
而在落后台积电的晶圆代工事业，三星预估今年营收和营业利益将创新高。
开普投资证券（Cape Investment & Securities）分析师朴成俊（Park Sung-soon）指出：「三星似乎在说，三星将利用这次产业景气走下坡的机会，把SK海力士和日本铠侠（Kioxia）等其他NAND快闪记忆体公司踢出市场。」
来源：内容由半导体芯闻（ID:MooreNEWS）综合自thelec，谢谢。
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