8月22日，中微公司在互动平台上表示，公司制造硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备已在客户芯片生产线上验证；此外，制造MicroLED应用的新型MOCVD设备以及用于碳化硅功率器件应用的外延设备等也正在开发中。
中微公司称，公司在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已部分完工，部分生产洁净室于2022年7月投入试生产。
中微公司认为，作为国内刻蚀设备龙头企业，公司在整个半导体设备国产化进程中具有明显优势。公司长期保持大规模、高强度的研发投入，但对标国际半导体设备巨头的研发布局和研发规模，公司仍有差距。公司将持续提升在技术研发方面的投入水平，进一步缩小与海外同行业巨头在研发方面的差距。
中微公司表示，公司持续从三个维度扩展业务布局：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。公司正在开发用于氮化镓和碳化硅功率器件和制造Micro-LED的MOCVD专用设备。除此以外，公司也在开发低压化学气相沉积设备（LPCVD）和外延设备（EPI）。
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