M24M01E-F S08N封装的1mbit I²C EEPROM的介绍、特性、及应用

元器件信息   2023-08-16 15:14   199   0  

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EEPROM工艺

由于采用了最先进的EEPROM工艺,意法半导体的1 Mbit EEPROM S08N封装现在可集成到电子计量模块、工业和服务器应用中。软件可配置的设备地址寄存器允许并使多个EEPROM插入同一i2c总线更容易。由于标识页,该产品提供了一个空间来存储绝对敏感的应用程序参数。时钟频率高达1 MHz,有助于减少模块唤醒和通信时间。为了更快的数据存储,编程时间已减少到4毫秒。此外,该设计仅嵌入5个激活引脚,超过8个,以降低PCB成本。该产品基于先进的110纳米工艺,大大降低了功耗。


特性

  • 1 Mbit (128 kb) EEPROM

  • SO8N JEDEC包

  • 减少到5个激活引脚(V(ss), V(cc), SDA, SCL, WC)

  • 可配置设备地址寄存器

  • 软件写保护寄存器

  • 快速模式Plus (1 MHz)跨越1.6 V至5.5 V

  • 温度范围:-40℃~ +85℃

  • 识别页面

  • 256字节/页

  • 字节和页写入时间为4毫秒

  • 在+25°C下进行400万次写入循环

  • 200年数据保留

  • Esd HBM 4000 v


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