onsemi NVMFS5C604N单n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

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onsemi NVMFS5C604N单n通道功率MOSFET具有288A连续漏极电流，1.2毫欧在10V R(DS(ON))和60V漏源电压。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽车应用的理想选择。

特性

• 占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑

• 低R(DS(on))，最小化传导损耗

• 低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗

• NVMFS5C604NWF -可湿侧翼选项，用于增强光学检查

• 通过aec - q101认证，具备ppap能力

• 无铅，符合rohs标准

应用程序

• 电池反保护

• 开关电源

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)

规范

• 最大连续漏极电流

• 1.2毫欧最大10V R(DS(ON))

• 60V漏源电压

• ±20V栅源电压

• 900A脉冲漏极电流

• -55°C至+175°C工作结和存储温度范围

典型的应用程序