NVMYS3D8N04CL 点击型号查看芯片规格书
onsemi NVMYS3D8N04CL功率MOSFET是一款单n沟道MOSFET，设计紧凑，高效，具有高热性能。该功率MOSFET工作在40V漏源电压，3.7毫欧漏极电阻和87A连续漏极电流下。NVMYS3D8N04CL n沟道MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。该设备不含铅，符合RoHS标准。NVMYS3D8N04CL是理想的反向电池保护电源开关，开关电源，电磁驱动器，电机控制和负载开关。
小占地5mm x 6mm紧凑的设计
低R(DS(on))，最小化传导损耗
低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗
40V(DSS)漏源电压
3.7毫欧漏阻
LFPAK4封装行业标准
通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力
设备无铅，符合RoHS标准
