onsemi NVMYS3D8N04CL功率MOSFET的介绍、特性、及应用

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onsemi NVMYS3D8N04CL功率MOSFET是一款单n沟道MOSFET，设计紧凑，高效，具有高热性能。该功率MOSFET工作在40V漏源电压，3.7毫欧漏极电阻和87A连续漏极电流下。NVMYS3D8N04CL n沟道MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。该设备不含铅，符合RoHS标准。NVMYS3D8N04CL是理想的反向电池保护电源开关，开关电源，电磁驱动器，电机控制和负载开关。

特性

• 小占地5mm x 6mm紧凑的设计

• 低R(DS(on))，最小化传导损耗

• 低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗

• 40V(DSS)漏源电压

• 3.7毫欧漏阻

• LFPAK4封装行业标准

• 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力

• 设备无铅，符合RoHS标准