台积电TSM600NA25CIT n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用

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台积电TSM600NA25CIT n沟道功率MOSFET是采用Trench技术构建的250V低压单配置MOSFET。该MOSFET具有22A连续漏极电流，60毫欧漏极源电阻，78W功耗和71nC栅极电荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向传输电容，无铅，无卤素，符合RoHS标准。该功率MOSFET是不间断电源(UPS)、交直流电源和照明应用的理想选择。

特性

• 单配置和n沟道MOSFET

• 槽技术

• 250V漏源极低电压(V(DS))

• 22A连续漏极电流(I(D)) @ (T(C)=25°C)

• 60毫欧低漏源电阻(R(DS(ON)))(最大值)

• 71nC低栅电荷(Q(g))(典型)

• 22pF低反向转移电容(C(rss))(典型)

• 78W功耗(P(d))

• 工作温度范围-55℃~ 150℃

• 通过无铅认证

• Pb-free

• 无卤

• 隔离电压2500V/1min

• ito - 220 tl包

应用程序

• 不间断电源(UPS)

• 交直流供电

• 照明

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