Nexperia 2N7002AK n沟道mosfet的介绍、特性、及应用

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Nexperia 2N7002AK n沟槽MOSFET是采用沟槽MOSFET技术的小型表面贴装器件(SMD)塑料封装中的增强模式场效应晶体管(fet)。这些符合aec - q101标准的器件在-55°C至+175°C的宽结温范围内提供逻辑级兼容性。应用包括继电器和高速线路驱动器，低侧负载开关和开关电路。

特性

• 逻辑电平兼容

• 扩展温度范围可达+175°C

• 沟槽MOSFET技术

• 静电放电(ESD)保护

• AEC-Q101合格

• 通过无铅认证

应用程序

• 继电器驱动程序

• 高速线路司机

• 低压负载开关

• 开关电路

规范

• 最大漏源电压60V

• ±20V栅源电压

• 最大漏极电流范围为220mA至240mA

• 3欧姆最大漏源导通状态电阻

• 500V最大ESD电压(HBM)

• 包选项

  • 2.9mm × 1.3mm × 1mm, 1.9mm间距，3端子SOT23

  • 2.1mm x 1.25mm x 0.95mm, 0.65mm间距，6引脚SOT363

  • 2mm x 1.25mm x 0.95mm, 1.3mm间距，3引脚SOT323