onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET的介绍、特性、及应用

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onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET提供650V阻断额定电压，153pF输出电容和TO-247-4L封装，开尔文源配置。该MOSFET专为快速开关应用而设计，其特色的平面技术可靠地与负栅极电压驱动和栅极上的关断尖峰一起工作。NTH4L023N065M3S MOSFET在18V栅极驱动下提供最佳性能，在15V栅极驱动下也能很好地工作。onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET是电动汽车充电器，人工智能数据中心和太阳能应用的理想选择。

特性

• 优秀人物(FOM)

• 低电容高速开关

• m3技术

• 超低栅极电荷

• 100%雪崩测试

• 15V到18V栅极驱动

应用程序

• 工业

• 云系统

• 不间断电源(UPS)

• 储能系统(ESS)

• 太阳能

• 电动汽车充电器

• 人工智能数据中心

规范

• TO-247-4L包装与开尔文源配置

• 153 pf电容

• 23毫欧 R(DS(ON))具有低E(ON)和E(off)损耗

• 阻断电压

• +175°C的最高额定温度