NOR Flash 厂商汇总

电子技术   2025-12-08 17:53   4   0  
华邦电子(WINBOND):全球NOR Flash龙头


华邦电子股份有限公司成立于1987年9月1995年于台湾证券交易所挂牌上市,总部位于台湾中部科学园区。
NOR Flash:全球市占率27%,连续多年排名第一,主打512Kb-2Gb中低密度市场,工艺已演进至45nm。
客制化内存 (CMS):包括DRAM、LPDDR等,全球第五大DRAM供应商,专注中小容量和特殊应用,20nm工艺已量产,正规划升级至16nm。
SPI NAND Flash:市占率13%,全球第三,主攻可穿戴设备等小容量市场

旺宏电子:NOR领先厂商

旺宏电子1989年在台湾新竹成立,1995 在台湾上市。

旺宏电子拥有一座12寸晶圆厂(晶圆五厂)、一座8寸晶圆厂(晶圆二厂)主要用于设计和生产非易失性存储,45nm 1.8 NOR flash 产品已量产,55nm 1.2V NOR Flash 开始送样。

旺宏2024年年报中显示:NOR Flash全年营收占比为59%,主要需求來自高品质与高附加值的车用、工业、医疗通讯等产品,占比达40%以上;ROM全年营收占比为22%,NAND Flash全年营收占比未11%,96层3D NAND Flash 系列产品已于2023年逐步稳定生产,日后将开发企业级SSD产品。

兆易创新:国内NOR FLASH龙头,全球排名第二

NOR Flash:全球市场中位列第二,国内第一。容量覆盖512Kb到2Gb,支持1.2V、1.8V、3V、1.65~3.6V 以及1.8VVCC&1.2VVIO等多种供电类型。

SLC NAND Flash:2024年市占率排名全球第六,中国内地第一。产品容量覆盖1Gb~8Gb,采用3V/1.8V两种电压供电。

DRAM:已推出DDR4、DDR3L及LPDDR4等系列产品。2024年,公司市占率排名全球第七、中国内地第二。


普冉半导体
NOR Flash:采用电荷俘获(SONOS)及浮栅(ETOX)工艺结构,容量覆盖512Kbit 到1Gbit ,电压覆盖1.1V-3.6V。40nm SONOS工艺制程下4Mbit到128Mbit 容量的全系列产品均已实现量产,55nm及50nm制程实现了4Mbit~1Gbit全容量系列产品量产出货。
EEPROM:产品容量覆盖2Kbit到4Mbit,操作电压覆盖1.2V-5.5V,主要采用130nm工艺制程,部分中大容量产品采用95nm及以下工艺制程下并已实现量产。
东芯半导体
NOR Flash:基于48nm、55nm制程,容量覆盖64Mb 至2Gb。
SLC NAND Flash:2xnm 制程产品系列持续迭代,不断扩充产品料号,1xnm 产品进入风险量产阶段。
DRAM:DDR3L、LPDDR4X 产品已量产。MCP:可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等组合的产品,用于5G通讯模块,车载模块等。
复旦微电子
SLC NAND Flash:主要由FM25/FM29系列构成,支持SPI、 ONFI并行接口,存储容量1Gb-8Gb。
NOR Flash:主要由FM25/FM29系列构成,支持SPI、通用并行接口,存储容量0.5Mb-2Gb
EEPROM:主要由FM24 /FM25 /FM93系列构成,支持I2C、SPI及Micro Wire接口,存储容量1Kbit-2Mbit。SPD5 Hub、TS5等DDR5内存接口芯片产品也将陆续面世。 
聚辰股份
NOR Flash:基于NORD工艺,产品容量覆盖512Kb-128Mb,其中512Kb-32Mb已实现大批量出货,64Mb 128Mb 的NOR Flash产品已成功完成流片,512Kb-8Mb容量的NOR Flash产品已通过第三方权威机构的AEC-Q100 Grade 1车规电子可靠性试验验证。
EEPROM:2024年全球排名第三,全球市占率约15.9%,市场份额在国内EEPROM企业中排名第一。是业内少数同时具备工业级EEPROM产品和汽车级EEPROM产品研发设计能力的企业之一。产品容量覆盖1Kb-2Mb。
恒烁股份
NOR Flash:基于ETOX工艺,主要采用武汉新芯50nm制程和中芯国际55nm制程。容量覆盖1Mbit 到512Mbit ,电压覆盖1.65V-3.6V。
NAND Flash:搭载国际主流24nm NAND Flash原厂晶圆,产品容量范围覆盖从1Gb~4Gb,32Gb~64Gb,全系列产品都内置ECC,最高可实现8bit/512Byte的纠错能力。产品可提供多种产品类型SPI NAND、SD NAND和PPI NAND32Gb~64Gb,全部产品都内置ECC,最高可实现8bit/512Byte的纠错能力。
eMMC:产品涵盖8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量。
DRAM:DDR4产品在2025年上半年量产。产品也将涵盖主要容量4Gb和8Gb,产品速率最高可达行业DDR4最高的3200Mbps。

武汉新芯


2006年在武汉成立,是是中国大陆领先的半导体特色工艺 12 英寸晶圆代工企业,提供 40nm 及以上工艺代工。


国内最大NOR Flash 制造商,掌握浮栅 (50-65nm) 和电荷俘获两种技术路线。



转自-懂点技术的采购YJ

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