【MMBT2222A PDF数据手册】_中文资料_(飞兆/仙童 Fairchild)

元器件信息   2022-11-04 16:37   283   0  

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MMBT2222A 中文资料规格参数


技术参数

频率

300 MHz

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

500 mA

针脚数

3

极性

NPN

耗散功率

350 mW

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

最小电流放大倍数(hFE)

100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE)

300

额定功率(Max)

350 mW

直流电流增益(hFE)

300

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.35 W

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

3

封装

SOT-23-3

外形尺寸

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

封装

SOT-23-3

物理参数

工作温度

150℃ (TJ)

其他

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

制造应用

Signal Processing, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, Industrial

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

海关信息

ECCN代码

EAR99

香港进出口证

NLR


MMBT2222A 引脚图


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MMBT2222A 引脚图


产品概述


FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222A  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 75V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 0.3V~1V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. Sourced from Process 19. 描述与应用| NPN通用放大器 这个装置是用于作为一个中等功率的放大器和开关 要求集电极电流高达500 mA。来源从工艺19。

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