【MMBFJ113 PDF数据手册】_中文资料_(安森美 ON Semiconductor)

元器件信息   2022-11-14 10:11   295   0  

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MMBFJ113 中文资料规格参数


技术参数

漏源极电阻

100 Ω

耗散功率

350 mW

击穿电压

35 V

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

3

封装

SOT-23-3

外形尺寸

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

封装

SOT-23-3

物理参数

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

制造应用

工业, ??, 电源管理, ????

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

海关信息

ECCN代码

EAR99


MMBFJ113 引脚图 | 封装焊盘图


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MMBFJ113 引脚图


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MMBFJ113 封装焊盘图


产品概述


ON Semiconductor MMBFJ113 N通道 JFET 晶体管, Idss: min. 2mA, 3引脚 SOT-23封装

N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor

### JFET 晶体管

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

得捷:JFET N-CH 35V 350MW SOT23

立创商城:MMBFJ113: N 沟道开关

欧时:ON Semiconductor MMBFJ113 N通道 JFET 晶体管, Idss: min. 2mA, 3引脚 SOT-23封装

e络盟:晶体管, JFET, JFET, -35 V, 2 mA, -3 V, SOT-23, JFET

艾睿:Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R

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