【FP15R12W1T4_B3 PDF数据手册】_中文资料_(英飞凌 Infineon)

元器件信息   2022-11-14 10:13   397   0  

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FP15R12W1T4_B3 中文资料规格参数


技术参数

针脚数

20

极性

N-Channel

耗散功率

130 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

130 W

封装参数

引脚数

20

封装

EASY1B-1

外形尺寸

长度

48 mm

宽度

33.8 mm

高度

12 mm

封装

EASY1B-1

物理参数

工作温度

-40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

制造应用

HVAC, 电机驱动与控制, 电源管理, Air Conditioning System, Power Management, Drives, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17


FP15R12W1T4_B3 电路图


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FP15R12W1T4_B3 电路图


产品概述


INFINEON  FP15R12W1T4_B3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module

IGBT 模块,Infineon

**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。

IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

### IGBT 分立件和模块,Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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