N25Q128A13ESE40F是第一款采用65nmNOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存设备。它具有就地执行(XIP)功能、高级写保护机制和高速SPI兼容总线接口。创新、高性能、双输入/输出指令和四输入/输出指令为读取和编程操作启用两倍或四倍的传输带宽。内存为256(64KB)个主扇区，进一步划分为16个各界别分组(共4096个界别分组)。内存可以一次擦除一个4KB子扇区，一次擦除64KB扇区，或者一个整体。根据应用需要，N25Q128A13ESE40F可以通过易失性和非易失性保护功能由软件进行写保护。保护粒度为64KB(扇区粒度)用于易失性保护,有64个一次性可编程(OTP)字节，可通过读取OTP和编程OTP命令进行读取和编程。这64个字节也可以使用程序OTP命令永久锁定。N25Q128A13ESE40F还能够通过使用专用的编程/擦除暂停、恢复指令暂停、恢复编程、擦除周期。
| 制造商 | 美光科技公司 |
| 制造商产品编号 | N25Q128A13ESE40FTR |
| 供应商 | 美光科技公司 |
| 描述 | IC 闪存 128MBIT SPI 108MHZ 8SO |
| 详细描述 | FLASH-NOR存储器IC128Mb(32Mx4)SPI108MHz8-SO |
| 类别 | 集成电路(IC)存储器 |
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.209"，5.30mm宽) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 基本产品编号 | N25Q128A13 |
N25Q128A13ESE40F
| 箱/包 | 集成电路 |
| 引脚数 | 8 |
| 访问时间 | 7纳秒 |
| 地址总线宽度 | 1个 |
| 密度 | 128兆字节 |
| 频率 | 108兆赫 |
| 界面 | SPI，串行 |
| 最高工作温度 | 85℃ |
| 最大电源电压 | 3.6V |
| 内存大小 | 16MB |
| 内存类型 | 闪存，NOR |
| 最低工作温度 | -40℃ |
| 最小电源电压 | 2.7伏 |
| 标称电源电流 | 20mA |
| 包装 | 卷带 |
| 系列 | N25Q |
| 存储容量 | 128Mbit |
| 电源电压-最小 | 2.7V |
| 电源电压-最大 | 3.6V |
| 接口类型 | SPI |
| 最大时钟频率 | 108MHz |
| 组织 | 16Mx8 |
| 数据总线宽度 | 8bit |
| 页面大小 | 256乙 |
| 同步/异步 | 同步 |
| 高度 | 1.91毫米 |
| 长度 | 5.49毫米 |
| 宽度 | 5.49毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
SPI兼容串行总线接口
108MHz(最大)时钟频率
2.7–3.6V单电源电压
双/四路I/O指令提供高达432MHz的增量吞吐量
支持的协议
三种协议均采用就地执行(XIP)模式
编程/擦除挂起操作
通过单个命令连续读取整个内存
灵活适应应用
软件复位
64字节，用户可锁定，一次性可编程(OTP)专用区域
擦除能力
写保护
电子签名
每个扇区至少100000次擦除周期
超过20年的数据保留
符合JEDEC标准的软件包，所有RoHS兼容
N25Q128A13ESE40F符号
N25Q128A13ESE40F脚印
N25Q128A13ESE40F封装
| 制造商 | 品名 | 描述 |
| 美光 | Flash芯片 | 闪存,或非,128Mbit,16Mx8位,108MHz,SPI,WSOIC,8引脚 |
| 美光 | Flash芯片 | 40ENOR闪存串行SPI3V/3.3V128Mbit128M/64M/32Mx1Bit/2Bit/4Bit7ns8针带托盘 |
美光科技有限公司(MicronTechnology,Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易(NYSE)。美光科技有限公司(以下简称美光科技)是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。
