MT47H64M8SH-25E:H点击型号即可查看芯片规格书
MT47H64M8SH-25E:H 中文资料规格参数
| 技术参数 | 时钟频率 | 400 MHz |
位数 | 8 | |
存取时间 | 400 ps | |
存取时间(Max) | 0.4 ns | |
工作温度(Max) | 85 ℃ | |
工作温度(Min) | 0 ℃ | |
电源电压 | 1.7V ~ 1.9V | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 60 | |
封装 | TFBGA-60 | |
| 外形尺寸 | 封装 | TFBGA-60 |
| 物理参数 | 工作温度 | 0℃ ~ 85℃ |
| 其他 | 产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tray | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | 无铅 |
MT47H64M8SH-25E:H 引脚图 | 封装焊盘图
MT47H64M8SH-25E:H 引脚图
MT47H64M8SH-25E:H 封装焊盘图
产品概述
DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
立创商城:MT47H64M8SH-25E:H
得捷:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
艾睿:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA
安富利:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin FBGA
Chip1Stop:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V
