【MT47H256M8EB-25E:C PDF数据手册】_中文资料_引脚图及功能_(镁光 Micron)

元器件信息   2022-11-16 09:19   360   0  

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MT47H256M8EB-25E:C 中文资料规格参数


技术参数

工作电压

1.80 V

供电电流

130 mA

时钟频率

400 MHz

位数

8

存取时间

400 ps

存取时间(Max)

0.4 ns

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

电源电压

1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

60

封装

FBGA-60

外形尺寸

封装

FBGA-60

物理参数

工作温度

0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tray

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

海关信息

ECCN代码

EAR99


MT47H256M8EB-25E:C 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图


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MT47H256M8EB-25E:C 引脚图


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MT47H256M8EB-25E:C 封装图


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MT47H256M8EB-25E:C 封装焊盘图


产品概述


DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 60-FBGA(9x11.5)

得捷:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

立创商城:MT47H256M8EB 25E:C

艾睿:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray

安富利:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray

Chip1Stop:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray

Verical:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray

Win Source:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60FBGA

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