PT26-51B/TR8点击型号即可查看芯片规格书
PT26-51B/TR8 中文资料规格参数
| 技术参数 | 波长 | 940 nm |
峰值波长 | 940 nm | |
耗散功率 | 75 mW | |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V | |
额定功率(Max) | 75 mW | |
下降时间 | 15 µs | |
下降时间(Max) | 15000 ns | |
上升时间(Max) | 15000 ns | |
工作温度(Max) | 85 ℃ | |
工作温度(Min) | -25 ℃ | |
耗散功率(Max) | 75 mW | |
| 封装参数 | 安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 2 | |
封装 | 1206 | |
| 外形尺寸 | 长度 | 3.2 mm |
宽度 | 1.6 mm | |
高度 | 2.5 mm | |
封装 | 1206 | |
| 物理参数 | 材质 | Silicon |
工作温度 | -25℃ ~ 85℃ (TA) | |
| 其他 | 产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) | |
| 符合标准 | RoHS标准 | RoHS Compliant |
含铅标准 | Lead Free | |
| 海关信息 | ECCN代码 | EAR99 |
PT26-51B/TR8 引脚图 | 封装焊盘图
PT26-51B/TR8 引脚图
PT26-51B/TR8 封装焊盘图
产品概述
PT26 系列 940 nm 30 V 75 mW 1.6 mm 表面贴装 侧视 微型光电晶体管
PT26 Series 940 nm 30 V 75 mW 1.6 mm SMT Side Look Miniature Phototransistor
得捷:SENSOR PHOTO 940NM SID VIEW 1206
立创商城:PT26-51B/TR8
贸泽:Phototransistors Phototransistor
艾睿:Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin SMD T/R
安富利:Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin SMD T/R
