【PT19-21C/L41/TR8 PDF数据手册】_中文资料_(亿光 Everlight Electronics)

元器件信息   2022-11-16 09:30   261   0  

PT19-21C/L41/TR8点击型号即可查看芯片规格书


芯片规格书搜索工具-icspec


PT19-21C/L41/TR8 中文资料规格参数


技术参数

上升/下降时间

15000 ns

波长

940 nm

峰值波长

940 nm

耗散功率

75 mW

上升时间

15000 ns

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

额定功率(Max)

75 mW

下降时间

15 µs

下降时间(Max)

15000 ns

上升时间(Max)

15000 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-25 ℃

耗散功率(Max)

75 mW

封装参数

安装方式

Surface Mount

引脚数

2

封装(公制)

1608

封装

0603

外形尺寸

长度

1.6 mm

宽度

0.8 mm

封装(公制)

1608

封装

0603

物理参数

材质

Silicon

工作温度

-25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

符合标准

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

海关信息

ECCN代码

EAR99


PT19-21C/L41/TR8 引脚图 | 封装焊盘图


48b00c1c-654e-11ed-bcbb-b8ca3a6cb5c4.png

PT19-21C/L41/TR8 引脚图


48b00c1d-654e-11ed-bcbb-b8ca3a6cb5c4.png

PT19-21C/L41/TR8 封装焊盘图


产品概述


红外线接收管0603贴片 编带

光电晶体管940nm 顶视图 0603(1608 公制)

得捷:SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 0603

立创商城:红外线接收管0603贴片

贸泽:光电晶体管 Phototransistor 940nm, 75mW

艾睿:Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin SMD T/R

安富利:Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin SMD T/R

Verical:Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin SMD T/R

儒卓力:**PHOTOTRANSISTOR 1206 W.LENS **

登录icspec成功后,会自动跳转查看全文
博客评论
还没有人评论,赶紧抢个沙发~
发表评论
说明:请文明发言,共建和谐网络,您的个人信息不会被公开显示。