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PSMN1R4-40YLDX点击型号即可查看芯片规格书
PSMN1R5-30YLC,115点击型号即可查看芯片规格书
PSMN4R8-100BSEJ点击型号即可查看芯片规格书
PSMN8R7-100YSFX点击型号即可查看芯片规格书
2N7002,215点击型号即可查看芯片规格书
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Nexperia PSMNxxx 系列N-Channel MOSFET包括标准和逻辑电平,规则和增强模式,包含LFPAK, I2PAK, TO -220,和DFN3333-8封装。这个系列产品的设计和资质适用于广泛的工业、通信和家用设备。
LFPAK封装中的逻辑级增强模式具有超低Qg、Qgd和Qoss,可在低负载和高负载下提高系统效率,以及超低RDS(on)和低寄生电感。
I2PAK和TO -220封装,由于低开关和导通损耗而具有高效率,适用于标准或逻辑级栅驱动源。
产品特性:
低开关损耗和导电损耗
高效率
Qualified to 150℃ or 175°C
利用NextPower Superjunction技术优化了4.5V栅极驱动
适用于标准或逻辑电平门驱动源
应用:
DC-DC转换器
锂电池保护
负载开关
权Power OR-ing
服务器电源
同步整流
电机控制
参考-三相驱动电路: