TCM809点击型号即可查看芯片规格书
特征
2.5V、3.0V、3.3V、5.0V的精密VDD显示器
标称系统电压电源
140毫秒最小重置超时时间
将输出重置为VDD=1.0V（TCM809）
低供电电流，9微安（典型值）
VDD瞬态抗扰度
小型3针SC-70和SOT-23B封装
无外部组件
推挽复位输出
温度范围：
-工业级，SC-70（E）：-40°C至+85°C
-延长，SOT-23，SC-70（V）：-40°C至+125°C
一般说明
TCM809和TCM810是一种经济高效的系统数字监控VDD的监控电路设计并在必要时向主机进程提供重置信号。没有外部组件必修的。
复位输出通常在通过重置电压阈值的65微秒VDD。复位至少保持激活状态VDD高于重置阈值后140毫秒。
TCM810具有激活的高复位输出，而TCM809具有激活的低复位输出。TCM809/TCM810的输出电压在VDD=1V时有效。
两种设备都有3针SC-70和SOT-23B
包装。
TCM809/TCM810经过优化，可快速拒绝VDD线上的短暂故障。低电源电流微安（典型值，VDD=3.3V）使这些设备适合用于电池供电的应用。
应用
计算机
嵌入式系统
电池供电设备
关键微控制器电源监控
汽车
电子管脚功能表特性
绝对最大额定值
电源电压（V至GND）……….6.0V尽职调查
复位，复位………..0.3V至（V+0.3V）尽职调查
输入电流，V……………20毫安尽职调查
输出电流，复位，复位…………20毫安dV/dt（V）…………100伏/微秒工作温度范围………-40°C至+125°C尽职调查
功耗（T=70°C）：一个
3针SOT-23B（在+70°C以上减额4 mW/℃）……320 mW
3针SC-70（在+70°C以上减额2.17 mW/℃）……174 mW存储温度范围………-65°C至+150°C最大结温，TJ……….150°C
注意：高于“最大额定值”下所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这只是一个应力额定值，并不意味着设备在高于本规范操作列表所示条件或任何其他条件下的功能运行。长期暴露在最大额定条件下可能会影响设备的可靠性。
五尽职调查瞬态抑制
TCM809/TCM810在通电、断电和断电/凹陷条件下提供精确的VDD监控和复位定时。这些设备还可以抑制电源线上的负向瞬变（故障）。图显示了故障抑制的最大瞬态持续时间与最大负偏移（超速档）。曲线下的持续时间和超速档的任何组合都不会产生复位信号
最大瞬态+25°C时故障抑制的持续时间与超速档。
曲线上方的组合被检测为棕色输出或断电状态。通过在TCM809/TCM810的VDD引脚附近添加电容器，可以提高瞬态抗扰度。
断电时复位信号完整性
TCM809复位输出在VDD=1.0V时有效。低于此电压时，输出变为“开路”且不吸收电流。这意味着到微控制器的CMOS逻辑输入将以不确定的电压浮动。大多数数字系统完全关闭远高于这个电压。
但是，在复位必须保持有效至VDD=0V的情况下，下拉电阻器必须从复位接地到放电杂散电容并保持低输出（图3-2）。该电阻值虽然不是临界值，但应选择使其在正常运行时不会明显的负载复位（100 kΩ将适用于大多数应用）。类似地，VDD的上拉电阻是TCM810需要确保1.0V以下VDD的有效高复位。
复位接地释放杂散
电容和保持低输出。这个应选择电阻值，尽管不是临界值使其在正常工作（100 kΩ适用于大多数应用程序）。类似地，VDD的上拉电阻是TCM810需要确保有效的高复位对于低于1.0V的VDD。
图在TCM809的复位输出确保复位输出对VDD=0V有效。
复位比较器超速档[垂直起降高度-垂直起降高度]（毫伏）
控制器和处理器
双向I/O引脚一些微控制器具有双向复位引脚。根据控制引脚的当前驱动能力，如果存在是逻辑冲突。这可以通过添加kΩ电阻器与TCM809的输出串联/TCM810。如果有其他组件需要复位信号的系统缓冲以便不加载重置行。如果另一个组件需要遵循微控制器，缓冲器应连接为以实线显示。
图TCM809与双向复位I/O。
包装信息
包装标识信息
三引线塑料小外形晶体管（NB）（SOT-23）
三引线塑料小外形晶体管（LB）（SC-70）
产品标识系统
笔记：
请注意以下有关微芯片设备上的代码保护功能的详细信息：
微芯片产品符合其特定微芯片数据表中包含的规范。
Microchip认为，其产品系列是目前市场上同类产品中最安全的系列之一，在预期的方式和正常条件下使用。
有不诚实且可能非法的方法用于违反代码保护功能。据我们所知，所有这些方法都要求以超出微芯片数据表中操作规范的方式使用微芯片产品。很可能，这样做的人是从事知识产权盗窃。
微芯片愿意与关注其代码完整性的客户合作。
微芯片或任何其他半导体制造商都不能保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品“牢不可破”
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