BTS6IIL1是电源开关IC - 配电PROFET

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BTS6IIL1是电源开关IC - 配电PROFET SMART 2 CH Hi Side Pwr SW，N通道垂直功率FET，带电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，单片集SmartSAPMOS中技术，提供嵌入式保护功能。

特征

过载保护

目前的限制

短路保护

热关机

过压保护（包括负载突降）

感应负载的快速退磁反向电池保护1）

欠压和过压关断

自动重启和滞后

开漏诊断输出

在ON状态下打开负载检测

CMOS兼容输入

地面损失和Vbb保护损失

静电放电（ESD）保护

绿色产品（符合RoHS标准）

AEC合格

应用

C兼容电源开关，具有12 V和24 V DC接地负载的诊断反馈所有类型的电阻，电感和电容负载替换机电继电器，保险丝和分立电路。

GND连接时外部电流限制（例如电阻器RGND =15061527;），电阻器与ST串联

连接，反向负载电流受连接负载限制。

数据表

引脚符号功能

1 OUT1（负载，L）输出1，保护通道1的高侧功率输出

2 GND逻辑地

3 IN1输入1，在逻辑高电平信号的情况下激活通道1

4 Vbb正电源电压，标签与此引脚短接

5 ST诊断反馈：开漏，低故障

6 IN2输入2，在逻辑高电平信号的情况下激活通道2

7 OUT2（负载，L）输出2，保护通道2的高端功率输出

状态输出图

ESD齐纳二极管：典型值6.1 V，最大5 mA;RST（ON）<380，1.6 mA，ESD齐纳二极管不是

在直流条件下用作电压钳。在该模式下操作可能导致齐纳二极管漂移电压（增加到1 V）。

电感和过压输出钳位

VON钳位至47 V（典型值）。

过电压，和反向电池保护。

VZ1 = 6.1 V（典型值），VZ2 = 47 V（典型值），RI =3.5k（典型值）RGND = 150

通态诊断条件：VON <RON * IL（OL）

关闭状态诊断条件：VOUT> 3 V（典型值），在低。

GND断开

任何一种负载。如果输入=高，则为VOUTVIN - VIN（T +）。由于VGND> 0，没有VST =可用的低信号。

GND断开与GND上拉

任何一种负载。如果VGND> VIN - VIN（T +）设备保持关闭状态由于VGND> 0，没有VST =可用的低信号。

Vbb与通电感应断开加载

PROPHET可以处理正常负载电流本身

Vbb与充电外部断开感应负载

如果其他外部感应负载L连接到PROPHET，像D这样的其他元素是必要的。

感应负载关闭能量耗散