FAN5091点击型号即可查看芯片规格书
FAN5091是一个同步多切片型DC-DC调节器集成电路，它提供一个高度精确的，可编程的输出电压为所有高性能处理器。两个交错同步降压型稳压器片使用内置电流分享荷兰国际集团以180°异相，以提供快速的瞬态响应需要满足高电流应用而最大限度地减少外部元件。该FAN5091特点远端电压传感和可编程有源下垂?与最小输出100nsec转换器的瞬态响应把电容。它集成高电流栅极驱动器，具有自适应延迟门的开关，省去了外置硬盘设备。该FAN5091采用了5位D/ACON-换器进行编程，以1.85V的输出电压从1.10V的25mV的步骤以1％的精确度。该FAN5091采用高集成度，提供负载电流中的过量的50A从一个5V电源以最少的外部电路。该FAN5091还提供了集成的功能包括电源好，输出使能/软启动，欠压锁定，过电压保护，可调电流限制与独立的电流检测每一片上。它是一个可24引脚TSSOP封装。
应用信息
FAN5091是一款可编程同步多片DC-DC控制器IC。当周围的适当设计外部元件，FAN5091可CON组figured到比输出电流50A提供更多，以适合新一代大电流的处理器。该FAN5091作为一个固定频率PWM降压稳压器，具有高英法fi效率模式（E*），在轻负载。
主控制回路
FAN5091由两个交错同步降压转换变流器，具有总结模式控制来实现。每片有它自己的电流反馈，并有一个共同的电压反馈。由FAN5091控制两个降压型转换器交错的，也就是说，它们以180°的相位差，每个等。这最大限度地减少了RMS输入纹波电流，迷你mizing所需的输入电容的数量。这也双打的有效开关频率，从而提高瞬态响应。该FAN5091实施“总结模式控制”，这距离传统的电压模式和电流-不同模式控制。它提供了卓越的性能，无论是允许在宽范围的大变换器带宽输出负载和外部元件。调节器的控制环路包含两个主要部分：模拟控制块和所述数字控制块。该模拟部分包括信号调理放大器器馈送到一个比较器，它提供了输入到数字控制块。信号调节部分接收来自电流传感器和电压传感器，与所述输入端电压传感器是通用的片，和当前传感器单独为每个。电压传感器放大器ES的该VFB信号和参考电压之间的差值从DAC并呈现输出，以每两个的比较器。对于每个切片，电流控制路径取之间的地线和SW引脚的区别时低侧MOSFET导通时，重现跨越的电压的MOSFET，从而将输入电流;它提出了由此而来信号给它总结扩增fier的相同的输入，增加其信号的电压放大器器的具有一定的增益。这些因此，两个信号被相加在一起。这笔款项是那么预sented到比较望着振荡器斜坡，这提供了主要的PWM控制信号输出到数字控制块。振荡器斜坡为180°异相的各另外，使得两个片上交替。数字控制模块采用模拟比较器输入以提供适当的脉冲到HDRV和LDRV输出引脚，每个切片。这些输出控制外部功率MOSFET。
远程电压检测
FAN5091具有真正的远程电压检测功能上，从而消除inating由于引线电阻误差。利用遥感，在VFB和AGND引脚应连接为开尔文跟踪对来调节点上，诸如处理器销。该转换器将保持在调节电压这一点。护理是必需的，这些理由的布局;看在此数据表中的布局原则。
高电流输出驱动器
FAN5091包含四个高电流输出驱动器采用了推挽CON组figuration的MOSFET。司机对于高边MOSFET使用BOOT引脚输入电源和SW引脚的回报。该驱动程序用于低侧MOSFET的使用VCC引脚的输入功率和地线引脚回报。通常情况下，BOOT引脚将直接使用12V。注意，引导和VCC引脚被从分离芯片的内部电源和地，旁路和AGND，为开关噪声免疫力。
自适应延迟栅极驱动
FAN5091体现，确保了先进的设计同时消除MOSFET的最小转换时间直通电流。它检测MOSFET的状态并调整栅极驱动器自适应，以确保它们是从来没有上同时进行。当高边MOSFET关关，在它的源极上的电压开始下降。当电压有达到约2.5V时，低端MOSFET栅极驱动器施加大约50nsec的延迟。当低边MOSFET关断，在LDRV引脚上的电压被感测。当它低于约2V的高边MOSFET的栅极驱动应用。
最大占空比
为了确保电流检测和电荷泵工作时，FAN5091保证了低侧MOSFET将在每个周期的某一部分。对于低的频率，出现这种情况，作为近似的最大占空比左右90％以上。因此，在500KHz的，用了一段2微秒，则低端将在至少2微秒?10％=200nsec。在高的频率，此时可能属于这么低是无效的。在FAN5091保证的导通时间的最小低侧大约330nsec，不管占空比这个对应。
电流检测
FAN5091具有两个独立的电流传感器，一个用于每个切片。电流检测通过测量完成在源-漏低侧MOSFET的电压其导通时间。每片有自己的电源接地引脚，为按照麻省理工学院的切片被放置在不同的位置，而不影响测量精度。为获得最佳效果，它一点很坦连接地线和SW引脚为每片为直接开迹对的源极和漏极，respec-适当的低边MOSFET的疑心，。护理是必需的在这些理由的布局;看到布局指南将该数据资料。
