MT25QL128ABA1ESE-0SIT点击型号即可查看芯片规格书
MT25QL128ABA1ESE-0SIT是一款3V、多I/O串行NOR闪存,具有SPI兼容的串行总线接口、就地执行(XIP)功能、增强的写保护技术和扩展的地址访问。所有STR协议的时钟频率可以达到133MHz,所有DTR协议的时钟频率可以达到90MHz,双/四I/O指令将吞吐量提高到90MB/s。此版本具有128Mb(16MB)的密度,并作为单个芯片堆叠。配置选项包括易失性和非易失性存储器,以及主存储器之外的专用64字节OTP部分,可访问且用户可锁定。它支持批量擦除、64KB统一粒度的扇区擦除以及4KB和32KB粒度的子扇区擦除。
型号 | MT25QL128ABA1ESE-0SIT |
制造商 | 美光科技公司 |
分类 | 集成电路(IC),记忆 |
描述 | IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO |
打包 | 块 |
工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装 |
包装/案例 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) |
供应商设备包 | 8-SO |
基本产品编号 | MT25QL128 |
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
产品状态 | 在售 |
内存类型 | 非挥发性 |
内存格式 | 闪光 |
技术 | 闪光灯-NOR |
内存大小 | 128Mb(16Mx8) |
内存接口 | SPI |
时钟频率 | 133兆赫 |
写周期时间-字、页 | 8毫秒、2.8毫秒 |
电压-电源 | 2.7V~3.6V |
密度 | 128MB |
最大电源电压 | 3.6V |
内存大小 | 16MB |
最小电源电压 | 2.7V |
数据格式 | V.34 |
界面 | 串行 |
电压-电源 | 3.3V~5V |
安装类型 | 印刷电路板 |
使用区域 | 欧洲、北美 |
数据速率 | 33.6K |
工厂交货时间 | 6周 |
安装类型 | 表面贴装 |
包装/案例 | 8-SOIC(0.209,5.30mm宽) |
表面贴装 | 是的 |
工作温度 | -40°C~85°CTA |
打包 | 块 |
湿度敏感度(MSL) | 3(168小时) |
终止次数 | 8 |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
高温超导码 | 8542.32.00.51 |
技术 | 闪光灯-NOR |
电压-电源 | 2.7V~3.6V |
终端位置 | 双重的 |
峰值回流温度(Cel) | 260 |
功能数量 | 1 |
电源电压 | 3V |
终端间距 | 1.27毫米 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max(s) | 30 |
JESD-30代码 | S-PDSO-G8 |
最大电源电压 (Vsup) | 3.6V |
电源电压最小值 (Vsup) | 2.7V |
内存大小 | 128Mb16Mx8 |
内存类型 | 非挥发性 |
操作模式 | 同步 |
时钟频率 | 133MHz |
内存格式 | 闪光 |
内存接口 | SPI |
组织 | 128MX1 |
内存宽度 | 1 |
写周期时间- 字、页 | 8毫秒、2.8毫秒 |
内存密度 | 134217728位 |
并行/串行 | 串行 |
编程电压 | 3V |
坐高(最大) | 2.16mm |
长度 | 5.285毫米 |
宽度 | 5.285毫米 |
属性 | 描述 |
RoHS状态 | 符合ROHS3标准 |
湿度敏感度(MSL) | 3(168小时) |
REACH状态 | REACH不受影响 |
ECCN | 3A991B1A |
玻璃钝化模具结构
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
印刷电路板的理想选择
MT25QL128ABA1ESE-0SIT符号
MT25QL128ABA1ESE-0SIT焊垫
MT25QL128ABA1ESE-0SIT 3D模型
MT25QL128ABA1ESE-0SIT封装
产品型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
M25P80-VMW6G | 镁光 | Flash芯片 | 闪存,低电压,8Mbit,1Mx8位,75MHz,串行,SPI,WSOIC,8引脚 |
M25P16-VMW6G | 镁光 | Flash芯片 | 闪存,16Mbit,2Mx8位,75MHz,串行,SPI,WSOIC,8引脚 |
Microchip
Technology股份有限公司是一家美国上市公司,生产微控制器、混合信号、模拟和闪存IP集成电路。其产品包括微控制器(PIC、dsPIC、AVR和SAM)、串行EEPROM设备、串行SRAM设备、嵌入式安全设备、射频(RF)设备、热、功率和电池管理模拟设备,以及线性、接口和无线产品。