LMG342xR050——具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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• 基本信息
  • 描述：LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
  • 厂商：TI
  • 器件类别
    • 氮化镓 (GaN) IC
  • 产品图片
  • 简化版方框图
  • 产品功能框图
  • 产品特性
    • 符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
    • 带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
      • 集成高精度栅极偏置电压
      • 200V/ns CMTI
      • 3.6MHz 开关频率
      • 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
      • 在 7.5V 至 18V 电源下工作
    • 强大的保护
      • 响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
      • 硬开关时可承受 720V 浪涌
      • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
    • 高级电源管理
      • 数字温度 PWM 输出
      • 理想二极管模式可减少 LMG3425R050 中的第三象限损耗
  • 主要参数
    • RDS (on) (Milliohm)：50
    • VDS (Max) (V)：600
    • ID (Max) (A)：44
  • 产品应用
    • 高密度工业电源
    • 光伏逆变器和工业电机驱动器
    • 不间断电源
    • 商用网络和服务器 PSU
    • 商用电信整流器
  • 封装
• 资源链接
  • 产品页面
    • LMG3422R050
    • LMG3425R050
  • 数据手册
    • LMG342xR050 600V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET
  • 应用手册
    • 最大化具有理想二极管模式的GaN 的性能
    • 适用于 600V GaN 功率级的 QFN12x12 封装的热性能 (Rev. A)
  • 白皮书
    • 实现 GaN 产品的寿命可靠性
    • Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETK
    • 通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统
  • 文章
    • 技术文章
      • How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next generation of industrial power designs
      • 作者：Arianna Rajabi
  • 模拟设计期刊
    • 宽带隙半导体：GaN 与 SiC 的性能和优势对比
  • 其它技术交流渠道
    • TI E2E™ 设计支持论坛
• 设计工具
  • 库/模型
    • CAD库文件
      • 官网库文件
        • LMG3422R050
        • LMG3425R050
      • Ultralibrian库文件
        • LMG3422R050
        • LMG3425R050
  • 评估板信息
    • 评估板型号
      • LMG342X-BB-EVM
        • 适用于 LMG342x 系列的 LMG342x GaN 系统级评估主板
      • LMG3422EVM-041
        • LMG3422R050 600V 50mΩ 半桥子卡
      • LMG3425EVM-041
        • 具有理想二极管模式的 LMG3425R050 600V 50mΩ 半桥子卡
    • 评估版图片
      • LMG342X-BB-EVM
      • LMG3422EVM-041
      • LMG3425EVM-041
    • 评估板介绍
      • LMG342X-BB-EVM 是易于使用的输出板，可将 LMG3422EVM-043 等各种 LMG342xR0x0 半桥板配置为同步降压转换器
      • LMG3422EVM-041 将两个 LMG3422R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 需要与大型系统配合使用。
      • LMG3425EVM-041 可将两个 LMG3425R050 GaN FET 配置到具有锁存过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。该 EVM 旨在与大型系统配合使用
    • 用户指南
      • LMG342XEVM-04X 用户指南
  • 相关器件
    • 功能相似器件：具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET
      • LMG3422R050
      • LMG3422R030
      • LMG3425R050
      • LMG3422R050
      • LMG3425R030
    • ISO7741
      • EMC 性能优异的四通道、3/1、增强型数字隔离器
    • TMS320F280025
      • 实时微控制器
    • UCC21540A
      • 隔离式栅极驱动器
    • OPA607
      • 高速运算放大器
• 购买渠道
  • 官网样片申请及购买
    • LMG3422R050
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  • 现货分销商网站购买
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