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LM74721-Q1——具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器
元器件信息
2022-12-02 15:49
359
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基本信息
描述:LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。
厂商:TI
器件类别
理想二极管/ORing 控制器
产品图片
产品引脚图
产品结构框图
产品特性
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 2
器件 CDM ESD 分类等级 C4B
3V 至 65V 输入范围
反向输入保护低至 -33V
针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位,从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制
低静态电流:运行时 35µA(最大值)
3.3µA(最大值)低关断电流(EN = 低电平)
17 mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
集成型 30mA 升压稳压器
快速响应反向电流阻断:0.5 µs
高达 100 kHz 的有源整流
可调节过压保护
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
与 LM74720-Q1 引脚对引脚兼容
主要参数
输入电压 (Min) (V):3
输入电压 (Max) (V):65
特点:使能、线性控制、反向电流阻断、反极性保护
Iq (Typ) (mA):0.032
lq(Max)(mA):0.038
IGate source(Typ) (uA):26.3
IGate sink (Typ) (mA):2.1
IGate pulsed (Typ) (A):2.1
工作温度范围(℃):-40 to 125
VSense reverse (Typ) (mV):-6.5
受控通道(#):1
场效应管:外置
VGS(最大)(V):13
产品应用
汽车电池保护
ADAS 域控制器
摄像头、雷达 ECU
出色的音频放大器
抬头显示
封装
资源链接
产品页面
数据手册
LM74721-Q1 具有有源整流特性的无 TVS 低 IQ 汽车类反向电池保护理想二极管控制器 数据表
应用手册
理想二极管基础知识
Active Rectification and Advantages in Automotive ECU Designs
模拟设计期刊
汽车反向电池保护设计中的 TVS-less
使用理想二极管控制器实现符合汽车EMC 标准的反向电池保护
文章
技术文章
3 ways to design a low quiescent-current (Iq) automotive reverse battery protection system
作者:Dilip Jain
其它技术交流渠道
TI E2E™ 设计支持论坛
LM74721-Q1:将 LM74721用作负载开关,而不使用理想的二极管 FET。
电源管理论坛
设计工具
库/模型
CAD库文件
官网库文件
评估板信息
评估板型号
LM74721EVM
评估板图片
评估板介绍:LM74721-Q1 理想二极管控制器评估模块
特性
用于输入 TVS 少操作的集成 VDS 钳位
电池反向保护低至 -33 V
可选择驱动两个以共漏极配置反向连接的外部 N 沟道 MOSFET
过压保护选项
满足汽车瞬态抗扰度测试要求
用户指南
LM74721EVM: Evaluation Module for LM74721-Q1 Ideal Diode Controller
原理图
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购买渠道
官网购买
TI 授权半导体经销商
联系TI
电话
+86-400-819-8694
+852-3704-4888
+65-6579-2446
+886-2-7724-9372
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