RM2312 点击型号即可查看芯片规格书
Rectron RM2312 n通道增强模式功率MOSFET使用先进的沟槽技术提供优秀的R(DS(ON))。MOSFET具有低栅电荷和低至2.5V栅电压的工作特性。该装置适用于电池保护或其他开关应用。
V(ds) = 20v, i (d) 4.5a
R(DS(ON))小于45毫欧 @ V(GS)=1.8V
R(DS(ON))小于40毫欧 @ V(GS)=2.5V
R(DS(ON))小于33毫欧 @ V(GS)=4.5V
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
电池保护
负荷开关
电源管理
包装3K/卷，9K/盒，72K/纸箱
无卤
P/N后缀V表示AEC-Q101合格，例如:RM2312V
