10月13日，Imagination推出全新的IMG B系列（IMG B-Series）图形处理器（GPU）。
据悉，IMG B系列可提供高达6 TFLOPS（每秒万亿次浮点运算）的计算能力，与前几代产品相比，功耗降低了多达30％，面积缩减了25％，且填充率比竞品IP内核高2.5倍。同时它提供了多种全新配置，可以针对给定的性能目标实现更低的功耗和高达35％的带宽降低，这使其成为顶级设计的理想解决方案。
B系列提供了各种不同的配置，从而拥有更广泛的应用空间，包括成为移动设备（从高端到入门级）、消费类设备、物联网、微控制器、数字电视（DTV）和汽车等多个市场的终极解决方案。
10月27日，Silicon（芯科科技）推出新型Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器。新产品结合了更快更安全的开关、低延迟和高噪声抑制等能力，可更靠近功率晶体管放置，以实现紧凑的PCB设计。它可以满足甚至超越日益提高的能效标准及尺寸限制，同时支持使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和快速Si FET等新兴技术。
由于空间限制至关重要，Si823Hx/Si825xx具有多种封装选项。一款紧凑型驱动器现在采用了8引脚封装，而不是类似的16引脚封装，从而减小了系统尺寸并降低了成本。其他新升级的功能包括过热保护，当温度过高时，会触发驱动器自动关闭。附加的安全功能包括停滞时间、重叠保护和输入噪声毛刺消除，从而最大程度提高安全性。
该器件可用于多种电源应用，包括数据中心电源、太阳能微型逆变器、汽车市场的牵引式逆变器和工业电源，并计划于2020年第四季度以汽车级产品供货。
10月19日，益昂半导体（Aeonsemi）推出其Arcadium™系列高性能全硅可编程振荡器。该产品系列实现了在超宽工业温度范围内频率稳定度优于±50ppm，能产生10kHz至350MHz之间任意频率，且相位抖动性能达到350fs rms的时钟信号。它可适用于服务器、AI处理器、网络接口、边缘计算、汽车电子以及广泛工业应用的理想时钟源。
据市场咨询机构预测，全球振荡器市场规模在2022年将达到32亿美元。边缘计算及汽车电子应用的趋势表明，高可靠性和低成本振荡器的需求正在不断增长。当前的振荡器市场主要是由具有百年历史但有多方面技术局限的石英振荡器所垄断。Arcadium™振荡器是基于纯CMOS工艺，利用自主创新的先进电路和补偿算法来实现高性能的相位稳定性和频率稳定性，同时相比基于石英的同类产品可提供更高的可靠性。石英晶振需要的真空陶瓷封装基座一直以来被日系企业垄断，而Arcadium™振荡器只需要普通的塑封工艺即可，大大提高了供应链的灵活性和安全性。此外，高度灵活的频率和输出配置可以显著提高产品研发效率。
为适用于各种应用场景，Arcadium™系列有三种型号可供选择：1）AS5001——单频点振荡器；2）AS5002——多频点多配置振荡器，可通过控制引脚的方式从多达九组预烧录的配置中选择所需的输出频率及格式；3）AS5003——可编程频率振荡器，提供I2C接口灵活配置输出频率及格式并支持DCO模式。Arcadium™系列振荡器将于2020年12月开始批量发货。
(1)英飞凌
在工业应用 SMPS 的设计上，最新的技术趋势会将高效率、高功率密度及总线电压上升的需求作整体考虑，也因此触发了对 650V击穿电压功率器件的需求。10月9日，英飞凌科技推出旗下650V CoolMOS™ CFD7 产品系列，即可满足上述需求。此器件适用于软切换应用的谐振拓扑，例如通信电源、服务器、太阳能和非车载的电动车充电。
新款650V器件扩展了声誉卓越的CoolMOS CFD7系列的电压范围，且是CoolMOS CFD2的后继产品。新款650V产品可搭配LLC和零电压切换相移全桥拓扑，较前几代产品能提供多项优势。本产品系列击穿电压提升50V，搭配整合高速本体二极管技术及更出色的切换效能，非常适合用于当代设计。极低的反向恢复电荷加上优异的热性能，也添加了更多优势。
开关损耗与RDS(on)过热相依性皆大幅降低，此产品系列具备非常优异的硬式整流耐用度。由于闸极电荷(Qg)改善，加上快速的开关性能，650V CoolMOS CFD7系列可提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中，相较于竞争产品，这些MOSFET提供绝佳的轻载效率，满载效率也有所提升。此外，同级最低RDS(on)也能让客户能以极具竞争力的价格，提升SMPS 的功率密度。
（2）Vishay
10月27日，Vishay推出新型40Vn沟道MOSFET半桥功率级——SiZ240DT，可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。该器件在小型PowerPAIR® 3.3mmx 3.3mm单体封装中集成高边和低边MOSFET，导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）达到业界出色水平。
SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1MOSFET，通常用作同步降压转换器的控制开关，10V时最大导通电阻为8.05mΩ，4.5V时为12.25mΩ。通道2MOSFET，通常用作同步开关，10V时导通电阻为8.41mΩ，4.5V时为13.30mΩ。这些值比其它竞品低16%。结合6.9nC（通道1）和6.5nC（通道2）低栅极电荷，导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14%，有助于提高快速开关应用的效率。
日前发布的双MOSFET比采用6mm x 5mm封装的双器件小65%，是目前市场上体积最小的集成产品之一。此外，新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案，适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制，以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。据悉，新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产，大宗订货供货周期为12周。
10月26日，UnitedSiC推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管——UJ3D 1200V和1700V，以补充FET和JFET晶体管产品。新款器件具有业界更佳的浪涌电流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二极管的一部分。
UnitedSiC的SiC SB二极管针对需要更高效率水平和超快开关速度的功率系统设计而进行全面优化，其VF x Qc品质因数（FoM）至少比其他制造商二极管好12～15％。阳极和阴极之间的间隙大于8.8mm，这意味着更适合应对可能出现的电压瞬变引起的高噪声环境。在大电流情况下，新颖的PN结架构使注入额外的载流子成为可能。因此，UnitedSiC二极管能够比竞争器件耐受更高的浪涌电流（高达额定电流的12倍）。
新产品包括一款1700V 25A额定值产品，以及三款1200V ，电流额定值分别为10A、20A和50A的器件。所有SiC二极管完全符合AEC-Q101汽车级标准，采用紧凑型TO247-2L封装和裸片格式。这些二极管最适合的应用包括电动汽车（EV）快速充电接入点、工业马达驱动器和太阳能逆变器等。
10月9日，Vishay推出新款环氧树脂封装NTC热敏电阻——NTCLE317E4103SBA，采用加长PEEK绝缘镍铁合金引线，热梯度超低，适用于汽车和工业应用高精度温度测量、感测和控制，例如锅炉、烟/火探测器、电池组电池管理系统（BMS）、充电电路、直流风扇电机、汽车座椅加热和HVAC传感器以及打印头等。
据悉，该器件的传感器导线导热性达到市场最低水平，并且具有出色的热解耦性，温度测量精度达±0.5℃，优于其他导线材料（如铜）几个度量级。
为加强高湿度条件下的可靠性，该器件PEEK绝缘引线与封装环氧树脂之间具有极高的粘合强度。其小磁珠最大直径为1.6mm，在空气中的响应时间不到3秒。75mm灵活的径向长引线满足特殊安装或组装要求。目前已经提供样品并已实现量产，供货周期为6周。
责任编辑：Momo
