5月11日，凌华科技推出业内首款基于NVIDIA Turing架构的图形模块，以加速边缘AI推理，适用于对尺寸、重量与功耗（SWaP）有严格限制的应用。有越来越多的边缘应用依靠GPU实现AI推理，同时必须考虑SWaP限制。凌华科技嵌入式MXM图形模块可提供强大的计算能力，将边缘处的数据转换为可执行的洞察，且采用符合系统集成商、独立软件供应商和原始设备制造商需求的标准规格，兼顾性能与功耗。
凌华科技的嵌入式MXM图形模块可加速众多计算密集型应用的边缘计算和边缘AI，且尤其适用于如通风不良、密闭或具腐蚀性的严苛环境。相关应用包括医学影像、工业自动化、生物识别访问控制、自主移动机器人、交通、航天和国防等。随着边缘AI应用的普及，业界对高性能、低功耗GPU模快的需求也与日俱增。
凌华科技嵌入式MXM图形模块：可通过NVIDIA® CUDA®、Tensor和RT核心加速计算；尺寸只有全高全长PCI Express图形卡的五分之一；使用寿命为非嵌入式图形模块的三倍以上；功耗低至50瓦。
5月11日，英飞凌推出集成式功率级（IPS）产品CoolGaN™ IPS系列，其产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源（SMPS）。
据悉，代表产品600V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140mΩ/600V CoolGaN增强型（e-mode）HEMT开关以及英飞凌EiceDRIVER™系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。
隔离栅极驱动器拥有两个数字PWM输入，让IGI60F1414A1L更易于控制。 为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标，利用集成隔离功能、明确分隔数字和电源接地以及简化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。栅极驱动器采用英飞凌的单芯片无磁芯变压器（CT）技术，将输入与输出有效隔离。 即便在电压上升或下降速率超过150V/ns的超快速切换瞬时下，仍可确保高速特性和稳定性。
此外，系统级封装集成和栅极驱动器具备的高精度和稳定的传输延迟，可让IGI60F1414A1L提供最低的系统死区时间。 这将有助于系统效率极大化，使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水平，达到35 W/in³。 灵活、简单及快速的设计特色，也适用于如LLC谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。
5月18日，Silicon Labs宣布其隔离栅极驱动器产品系列增加新成员Si828x版本2。这一更新使该产品系列能够实现高效的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）栅极驱动，从而满足不断发展的半桥和全桥逆变器及电源市场，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗。
Si828x产品系列拥有多项优势，这使其非常适合混合动力和电动汽车（EV）及工业应用。在设计汽车充电器和牵引逆变器时，将SiC FET用于功率开关的客户可以极大地受益于Si828x独特的功能组合，包括强健的栅极驱动、强大的去饱和故障响应和高效率的米勒钳位。
同时，Silicon Labs与SiC解决方案的主要提供商Wolfspeed进行合作，其栅极驱动器已经通过了Wolfspeed SiC MOSFET的测试。
5月19日，Credo发布其最新产品Nutcracker——业内首款3.2Tbps XSR低功耗、单通道速率为112Gbps的高速连接Chiplet。为适应下一代MCM (多芯片组件) ASIC的应用需求，该产品在功耗及连接距离性能上进行了深度优化，可用于高速交换机、高性能计算、人工智能（AI）、机器学习(ML)和光电合封（CPO）等多种场景。
Nutcracker Host端有32条低功耗112G XSR SerDes 通道，用于与片上系统（SOC）的主ASIC通信。Line端有32条采用DSP优化技术的低功耗112G MR+通道, 用于提供向外通信的接口。
Credo独特的DSP技术使其能够在保证低功耗的前提下，采用TSMC 12nm成熟工艺制程来开发生产这款32x112Gbps XSR <—> 32x112Gbps MR+ Retimer 裸片。相比之下, 其他替代解决方案则将需要使用更为昂贵的7nm或5nm工艺节点。
经Credo优化设计的芯片架构，使SOC ASIC供应商能够通过使用面积节省和功耗较低的XSR接口，最大限度发挥其核心处理功能。Nutcracker可为MCM提供强大的封装外部接口，以便于其集成在各种系统级配置中。目前，Nutcracker已投入量产。
5月20日， UnitedSiC宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。可提供30、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用的扩展过程中又迈出了一大步。
D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的开关速度，通过开尔文（Kelvin）源极连接改善了栅极驱动器的回路性能，并具有业界领先的散热能力。通过利用银烧结技术（Ag Sintering），可以在常规PCB以及复杂的绝缘金属基板（IMS）上完成管芯贴附。此外，它们具有出色的爬电距离（6.7mm）和电气间隙能力（6.1mm），这意味着即使在更高电压下也可以确保最高的操作安全性。
5月25日，Vishay推出多功能新型30Vn沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。该器件采用热增强型3.3mm x 3.3mm PowerPAK® 1212-8S封装，10V条件下导通电阻仅为0.95mW，比上一代产品低5%。此外，4.5V条件下器件导通电阻为1.5mW，而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为29.8mW*nC。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，从而降低导通和开关损耗，节省功率转换应用的能源。且适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关，以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能，简化设计人员两种电路的器件选择。目前SiSS52DN现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。
责任编辑：Momo
