PANJIT的第二代屏蔽栅沟槽(SGT) MOSFET设计具有优秀的FOM质量，为砖式模块中的DC/DC变换器拓扑提供高效的设计解决方案。
100v SGT系列提供18个标准和17个逻辑电平部件。PANJIT的最新晶圆技术使gen2 SGT mosfet能够产生低栅电荷和R(DS(ON))，以最大限度地减少传导损耗，从而创建优秀的FOM，以优化各种拓扑效率。
PANJIT的第二代SGT mosfet因其出色的系统效率性能和产品特性而成为DC/DC转换器的最佳选择。DC/DC变换器是广泛应用于电信、工业电源等工业设备的功率转换系统。应用需要极高的效率和可靠性，这些最新的SGT mosfet可以提供，因为它们针对高开关应用环境进行了优化。
该系列有各种尺寸和包装选项，完全适用于所有砖尺寸和应用。可用的尺寸包括半砖、四分之一砖、八分之一砖、十六分之一砖和三十二砖。可选包包括DFN5060和DFN3333。PANJIT的第二代SGT mosfet为DC/DC变换器系统以及LLC, PSFB，同步降压电路和需要低FOM和高电压mosfet的汽车DC/DC 48v系统的应用提供简单高效的设计解决方案。
特性
优秀的FOM
低R(DS(ON))，使传导损失最小化
卓越的系统效率，更环保的产品
针对高开关应用进行了优化
应用程序
砖的权力
工业强国
汽车DC/DC 48v系统
