无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd.（以下简称 CGD）结束神隐，宣布即将推出其首组产品组合，可令功耗降低高达 50%。CGD 携 ICeGaN™ 650 V H1 系列首次亮相 APEC（应用功率电子会议），该系列内含四款650 V 产品，能够充分发挥氮化镓 (GaN) 强大技术优势。
CGD 是一家从剑桥大学分化出去的公司，创始人是 Giorgia Longobardi 博士和 Florin Udrea 教授，公司使命是通过提供节能易用的 GaN 技术解决方案为日常生活带来创新。这家公司发展迅速，过去 6 年一直埋头开展研发工作，希望通过设计、开发和商业化颠覆性创新产品，为解决全球一些迫在眉睫的能源消耗问题贡献力量。
从 2016 年到今天，该公司已累积了 39 项专利和应用，其中 20 项独特发明专注于研究更快、更小和更经济的器件，以推动 GaN 技术在消费电子等领域普及推广。作为 CGD 推出的首组商业产品，650 V H1 系列首开行业先河，支持使用标准 MOSFET 驱动器，不需要依靠外部元件提供保护。CGD 的 GaN 技术对于工程师的价值在于，它能够代替当前应用中使用的硅基器件以及其他 GaN 解决方案，而被 CGD 视为进军目标的功率半导体市场预计到 2027 年市值将超过 500 亿美元。
CGD 的 ICeGaN™（集成电路增强模式 GaN）专利技术将 Cascode（共源共栅）配置的易用性优势、单芯片 eMode (normOFF) HEMT 的简单性以及一些集成智能感测和保护特性结合在一起。所有这些优势都嵌入一个芯片中，与传统硅芯片相比，最多可令功耗减少50%。这项技术在功率和电压层面完全可扩展，能够很好地适应未来发展。
无晶圆厂半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd.（以下简称 CGD）结束神隐，宣布即将推出其首组产品组合，可令功耗降低高达 50%。CGD 携 ICeGaN™ 650 V H1 系列首次亮相 APEC（应用功率电子会议），该系列内含四款650 V 产品，能够充分发挥氮化镓 (GaN) 强大技术优势。
CGD 是一家从剑桥大学分化出去的公司，创始人是 Giorgia Longobardi 博士和 Florin Udrea 教授，公司使命是通过提供节能易用的 GaN 技术解决方案为日常生活带来创新。这家公司发展迅速，过去 6 年一直埋头开展研发工作，希望通过设计、开发和商业化颠覆性创新产品，为解决全球一些迫在眉睫的能源消耗问题贡献力量。
从 2016 年到今天，该公司已累积了 39 项专利和应用，其中 20 项独特发明专注于研究更快、更小和更经济的器件，以推动 GaN 技术在消费电子等领域普及推广。作为 CGD 推出的首组商业产品，650 V H1 系列首开行业先河，支持使用标准 MOSFET 驱动器，不需要依靠外部元件提供保护。CGD 的 GaN 技术对于工程师的价值在于，它能够代替当前应用中使用的硅基器件以及其他 GaN 解决方案，而被 CGD 视为进军目标的功率半导体市场预计到 2027 年市值将超过 500 亿美元。
CGD 的 ICeGaN™（集成电路增强模式 GaN）专利技术将 Cascode（共源共栅）配置的易用性优势、单芯片 eMode (normOFF) HEMT 的简单性以及一些集成智能感测和保护特性结合在一起。所有这些优势都嵌入一个芯片中，与传统硅芯片相比，最多可令功耗减少50%。这项技术在功率和电压层面完全可扩展，能够很好地适应未来发展。
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ICeGaN™ 是一种基于 GaN 的集成解决方案，自带智能自保机制，能够有效增强晶体管的功能性、通用性和可靠性。任何需要用电且运行于 650 V 细分市场的系统，这项 GaN 技术均可广泛适用。初期用途包括用于制造消费电子产品，例如移动充电器、笔记本电脑适配器、游戏和多合一 (AIO) 电脑以及一般的消费应用型开关电源 (SMPS)。650 V H1 系列产品组合也是 CGD 进军照明和服务器电源等细分市场的试水产品。未来 CGD 想要将自己的产品推广到更多应用领域，包括用于数据中心、光伏逆变器和可再生能源产品的大功率服务器和电信市场，长期目标是电动汽车/混合动力汽车系统。
CGD 的长期产品战略也获得了英国和欧盟多合作伙伴资助项目的支持，其中最近一个是 ICeData，该项目旨在开发基于 GaN 的、在数据中心服务器电源中使用的高效集成电路 (IC) 并且将其商业化。这个项目得到了英国政府商业、能源和工业战略部(BEIS)的资助，资金来自于能源企业家基金 (Energy Entrepreneur Fund)，该基金挑选英国领先的技术组织以提供节能减排（CO2 排放）解决方案。
創始人與CEO GIORGIA LONGOBARDI 博士表示，”我们怀着激动的心情向市场揭晓 CGD 的首批产品。我们的 GaN 技术既能化解复杂的工程难题，又能保证高效，这得益于我们团队在 GaN 领域强大的专业实力，我们对材料、器件物理特性的丰富认知以及对市场需求的深刻洞察。追求可持续发展是我们公司的核心原则，我们一直在研究创新解决方案，希望能够借助这些方案不断降低功率电子元件行业的功耗，造福广大客户和终端用户。我们的目标不仅仅是提供绿色产品，更要将可持续发展理念深深融入公司企业文化之中，我们团队将上下一心，全司同力，行而不辍，奋进前路。”
創始人與CTO Florin Udrea 教授表示，“我从事这一行已超过三十年。我在剑桥大学以及在不同公司工作时一直专注于各种材料（例如硅、氮化镓、碳化硅和钻石）以及器件（从 HEMT 到 IGBT，从超导结到 FinFET）的研究。关于宽带产品开发的预测谬误众多。但这次不同：GaN 的时代已经来临。至少未来 10 年里，（这类产品的）市场占有率将呈指数增长。”
业务开发副总裁 ANDREA BRICCONI 表示， 对于所有致力于设计导入 GaN 晶体管并且投入大量心血研发 GaN 晶体管驱动方法的人来说， ICeGaN™ 650 V H1 系列犹如减负利器。这四款产品可以与栅极驱动器无缝对接，让基于 ICeGaN 的 GaN HEMT 变得如硅 MOSFET 般易于使用。既不需要加装元件来驱动 ICeGaN™，不需要箝位二极管提供保护，不需要负电压来关断 (TurnOFF) 功率晶体管，还能依靠 GaN 的固有特性保证最高性能水平。这组产品采用 DFN5x6 和 DFN8x8 这两种最受欢迎的 SMD 封装，提供从 55 mΩ 至 200 mΩ 的宽程 RdsON，因此非常适合大多数低功率和中功率 SMPS 应用，针对高功率市场的特定集成电路 (IC) 和解决方案正在筹备中。”
Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices（简称 CGD) 是一家是从剑桥大学分化出去的无晶圆厂半导体公司，由 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，公司成立的初衷是开发一项与功率器件有关的革命性技术。我们的使命是：交付最高效易用的晶体管，塑造功率电子元件的未来。CGD 投身 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发和商业化运作，能够激发能效和紧凑性层面的根本性变革，确保产品适合投入大批量生产。
CGD 的 ICeGaN™ 技术有强大的知识产权储备作为保护——作为一家拥有远大抱负的公司，CGD 依靠领先的创新技能不断充实完善其知识产品储备。除了数百万的种子基金和 A 轮私人投资之外，CGD 迄今已成功拿下了四个 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 资助项目。CGD 团队专业实力过硬，熟悉商业运营规律，在功率电子市场积累了广泛的口碑基础，这些都是其专有技术能够迅速展现市场牵引力的资本。
ICeGaN™ 是一种基于 GaN 的集成解决方案，自带智能自保机制，能够有效增强晶体管的功能性、通用性和可靠性。任何需要用电且运行于 650 V 细分市场的系统，这项 GaN 技术均可广泛适用。初期用途包括用于制造消费电子产品，例如移动充电器、笔记本电脑适配器、游戏和多合一 (AIO) 电脑以及一般的消费应用型开关电源 (SMPS)。650 V H1 系列产品组合也是 CGD 进军照明和服务器电源等细分市场的试水产品。未来 CGD 想要将自己的产品推广到更多应用领域，包括用于数据中心、光伏逆变器和可再生能源产品的大功率服务器和电信市场，长期目标是电动汽车/混合动力汽车系统。
CGD 的长期产品战略也获得了英国和欧盟多合作伙伴资助项目的支持，其中最近一个是 ICeData，该项目旨在开发基于 GaN 的、在数据中心服务器电源中使用的高效集成电路 (IC) 并且将其商业化。这个项目得到了英国政府商业、能源和工业战略部(BEIS)的资助，资金来自于能源企业家基金 (Energy Entrepreneur Fund)，该基金挑选英国领先的技术组织以提供节能减排（CO2 排放）解决方案。
創始人與CEO GIORGIA LONGOBARDI 博士表示，”我们怀着激动的心情向市场揭晓 CGD 的首批产品。我们的 GaN 技术既能化解复杂的工程难题，又能保证高效，这得益于我们团队在 GaN 领域强大的专业实力，我们对材料、器件物理特性的丰富认知以及对市场需求的深刻洞察。追求可持续发展是我们公司的核心原则，我们一直在研究创新解决方案，希望能够借助这些方案不断降低功率电子元件行业的功耗，造福广大客户和终端用户。我们的目标不仅仅是提供绿色产品，更要将可持续发展理念深深融入公司企业文化之中，我们团队将上下一心，全司同力，行而不辍，奋进前路。”
創始人與CTO Florin Udrea 教授表示，“我从事这一行已超过三十年。我在剑桥大学以及在不同公司工作时一直专注于各种材料（例如硅、氮化镓、碳化硅和钻石）以及器件（从 HEMT 到 IGBT，从超导结到 FinFET）的研究。关于宽带产品开发的预测谬误众多。但这次不同：GaN 的时代已经来临。至少未来 10 年里，（这类产品的）市场占有率将呈指数增长。”
业务开发副总裁 ANDREA BRICCONI 表示， 对于所有致力于设计导入 GaN 晶体管并且投入大量心血研发 GaN 晶体管驱动方法的人来说， ICeGaN™ 650 V H1 系列犹如减负利器。这四款产品可以与栅极驱动器无缝对接，让基于 ICeGaN 的 GaN HEMT 变得如硅 MOSFET 般易于使用。既不需要加装元件来驱动 ICeGaN™，不需要箝位二极管提供保护，不需要负电压来关断 (TurnOFF) 功率晶体管，还能依靠 GaN 的固有特性保证最高性能水平。这组产品采用 DFN5x6 和 DFN8x8 这两种最受欢迎的 SMD 封装，提供从 55 mΩ 至 200 mΩ 的宽程 RdsON，因此非常适合大多数低功率和中功率 SMPS 应用，针对高功率市场的特定集成电路 (IC) 和解决方案正在筹备中。”
Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices（简称 CGD) 是一家是从剑桥大学分化出去的无晶圆厂半导体公司，由 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，公司成立的初衷是开发一项与功率器件有关的革命性技术。我们的使命是：交付最高效易用的晶体管，塑造功率电子元件的未来。CGD 投身 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发和商业化运作，能够激发能效和紧凑性层面的根本性变革，确保产品适合投入大批量生产。
CGD 的 ICeGaN™ 技术有强大的知识产权储备作为保护——作为一家拥有远大抱负的公司，CGD 依靠领先的创新技能不断充实完善其知识产品储备。除了数百万的种子基金和 A 轮私人投资之外，CGD 迄今已成功拿下了四个 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 资助项目。CGD 团队专业实力过硬，熟悉商业运营规律，在功率电子市场积累了广泛的口碑基础，这些都是其专有技术能够迅速展现市场牵引力的资本。
