二极管合并DMN3732UFB4 n通道增强模式MOSFET的介绍、特性、及应用

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二极管合并DMN3732UFB4 n通道增强模式MOSFET旨在最小化R(DS(ON))并保持令人印象深刻的开关性能。该MOSFET具有低V(GS(TH))和防静电保护栅极。DMN3732UFB4 MOSFET符合AEC-Q100/101/104/200标准，采用0.4mm超低尺寸封装。这种MOSFET是无铅的，符合RoHS标准，在-55°C至150°C的温度范围内工作。典型的应用包括负载开关、便携式应用和电源管理功能。

特性

• 0.4mm超低档包装薄应用

• 0.6mm(2)包装占地面积

• 低V (g (TH))

• 低R (DS(上))

• 防静电栅

• AEC-Q100/101/104/200合格

• PPAP能力

• 无铅

• 通过无铅认证

• 不含卤素和锑

规范

• 30V(DSS)漏源极电压

• ±8V(GSS)门源电压

• 3A脉冲漏极电流

• 0.96A最大连续体二极管正向电流

• -55℃~ 150℃工作温度范围

• 包:

  • X2-DFN1006-3

• UL易燃分类等级94V-0

• 重量:

  • 0.001克

应用程序

• 负荷开关

• 便携式应用程序

• 电源管理功能