ADuM4146 点击型号即可查看芯片规格书
模拟设备公司ADuM4146高压隔离双极栅驱动器是为驱动碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)而优化的。ADuM4146具有iCoupler 技术，提供了输入信号和输出门驱动器之间的隔离。该装置包括一个米勒钳，当栅极电压下降到低于2V时，提供坚固的SiC关断与单轨电源。操作单极或双极二次电源是可能的，有或没有米勒钳操作。
ADuM4146门驱动器包括芯片级变压器，在芯片的高压和低压域之间提供隔离的控制信息通信。芯片的状态信息可以从专用输出中读取回来。备端设备故障后的复位控制在设备的主端执行。
集成到ADuM4146上的是一个去饱和检测电路，提供对高压短路SiC操作的保护。去饱和保护包含降噪功能，如开关事件后的300ns屏蔽时间，以屏蔽由于初始接通引起的电压尖峰。一个可选的内部500μA电流源允许低设备计数，如果需要更多的噪声抗扰性，内部消隐开关允许添加外部电流源。
次级欠压锁定(UVLO)设置为14.5V(典型)的A级，设置为11.5V(典型)的B级和C级，考虑到普通SiC和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的水平。模拟设备公司ADuM4146高压隔离双极栅驱动器提供16引脚小尺寸宽体(SOIC_W)封装，具有-40°C到+125°C的工作温度范围。
11A短路源电流(0欧姆门阻)
9A短路汇聚电流(0欧姆栅电阻)
4.61A峰值电流(2欧姆栅电阻)
小于1欧姆输出功率设备电阻
输出电压范围可达30V
V上的多个UVLO选项(DD2)
A级:14.5V(典型)UVLO对V(DD2)正向阈值
B级和C级:11.5V(典型)UVLO on V(DD2)阳性阈值
V(DD1)输入电压范围为2.5V ~ 6V
米勒钳输出与门感输入
稀释的保护
低饱和故障软停机
多重去饱和检测比较器电压
B级:9.2V(典型)
A级、C级:3.5V(典型)
隔离故障和就绪功能
低75ns传播延迟(典型)
-40°C至+125°C的工作温度范围
最小爬电距离8.3mm
100千伏/μs CMTI
安全和监管批准
根据UL 1577, 5000V有效值1分钟
CSA组件验收通知单
Din v vde v 0884-11
V(IORM) = 2150V峰值
SOIC-16宽体包
SiC MOSFET和IGBT门驱动器
光伏逆变器
马达驱动器
电力供应
