STL325N4LF8AG n通道功率MOSFET采用stripet F8技术，并具有增强型沟槽栅结构。STL325N4LF8AG确保非常低的通态电阻。该器件还降低了内部电容和栅极电荷，以实现更快和更有效的开关。
AEC-Q101合格
MSL1年级
操作温度175°C
100%雪崩测试
可与水混合的侧面包
优异的体漏二极管柔软性
低EMI噪声排放
低的输出电容和串联电阻
关断时漏源极电压峰值低，振荡时间短
低gate-drain电荷
关闭速度快，开关损耗低
栅极阈值电压分布紧
简单的并联
非常高的电流能力
高的短路耐用性
切换应用程序
能量转化
电机控制
配电
