SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件 相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。
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电源适配器参考设计Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计，频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激模式(ACF)参考设计，运行频率为140kHz，峰值效率为94.5%。
● (1x) 45W适配器参考设计采用准谐振反激模式(QRF)拓扑结构，可提供24 W/in3的功率密 度
● (3x) 65W适配器参考设计采用ACF或QRF拓扑结构，可提供30 W/in3的功率密度
● (1x) 100W适配器参考设计采用功率因数校正(PFC)+QRF拓扑结构，可提供18 W/in3的 功率密度
Transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的USB-C PD/PPS参考设计，频率范围110到140 kHz。Transphorm与Diodes Inc.合作开发了这两款解决方案，利用该公司的ACF控制器实现了超过93.5%的峰值效率。
● (1x) 65W适配器参考设计采用ACF拓扑结构，可提供29 W/in3的功率密度
● (1x) 140W适配器参考设计采用PFC+ACF拓扑结构，可提供20 W/in3的功率密度
Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm独具优势，可提供唯一能适用于广泛应用的、涵盖众多功率水平的氮化镓FET组合。我们的电源适配器参考设计凸显出我们的低 功率能力。我们提供与控制器无关的PQFN和TO-220器件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助于客户快速、轻松地将 具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。这正是Transphorm氮化镓器件的价值所在。”
