UnitedSiC推出四款基于第四代先进技术的新型SiC FET器件

领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。作为目前市场上首批也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电源应用都能够从中受益。

这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。

领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。作为目前市场上首批也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电源应用都能够从中受益。

这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，其FoM无与伦比，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。在软开关应用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。

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这些新器件将联合碳化硅的产品扩展到了750V，这样就可以为设计人员提供更多的裕量并减少其设计约束。同时，这一VDS额定值的提高，也使这些FET有利于400/500V总线电压应用。由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动。因此，就可以将它们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。

正如联合碳化硅C公司工程副总裁Anup Bhalla所述：“从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些器件可帮助各行各业的工程师们解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的各种挑战。

“我们将在未来9个月内发布许多第四代新器件，而在性价比、散热效率和设计裕量等方面实现进一步提高。到那时，各行各业就都有望克服大规模采用的挑战，并借此加速创新。”

这四款第4代750V新SiC FET的定价（千片起，美国离岸价）从UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可从授权分销商处购买。

这四款SiC FET器件的规格如下所示：

责编: Amy Guan

这些新器件将联合碳化硅的产品扩展到了750V，这样就可以为设计人员提供更多的裕量并减少其设计约束。同时，这一VDS额定值的提高，也使这些FET有利于400/500V总线电压应用。由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动。因此，就可以将它们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。

正如联合碳化硅C公司工程副总裁Anup Bhalla所述：“从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些器件可帮助各行各业的工程师们解决他们在满足最高电压和功率要求时所面临的各种挑战。

“我们将在未来9个月内发布许多第四代新器件，而在性价比、散热效率和设计裕量等方面实现进一步提高。到那时，各行各业就都有望克服大规模采用的挑战，并借此加速创新。”

这四款第4代750V新SiC FET的定价（千片起，美国离岸价）从UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可从授权分销商处购买。

这四款SiC FET器件的规格如下所示：

责编: Amy Guan