罗姆半导体第四代n通道碳化硅功率mosfet的介绍、特性、及应用

芯片规格书搜索工具-icspec

ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻，改善了短路耐受时间。第四代碳化硅mosfet易于并联，驱动简单。mosfet具有快速开关速度/反向恢复，低开关损耗和+175°C的最高工作温度。ROHM第四代n通道SSiC功率mosfet支持15V门源电压，有助于节省设备功率。

特性

• 低导通电阻，提高短路坚固性

• 最大限度地减少寄生电容开关损失

• 支持15V门源电压，提高应用设计自由度

• 切换速度快

• 快速反向恢复

• 易于平行

• 驾驶简单

• 碳化硅(SiC)技术

• n通道晶体管极性

• 单通道

• 通孔安装

• 增强型

• 最高工作温度+175°C

• 可用aec - q101合格的选项

• 无铅，符合RoHS和REACH标准

应用程序

• 汽车

• 开关模式电源

• 太阳能逆变器

• 直流/直流转换器

• 感应加热

• 马达驱动器

规范

• 3到7个引脚

• -4V到+21V门源电压范围，4.8V阈值

• 63nC至170nC栅极充电范围

• 26A至105A连续漏极电流范围

• 13毫欧到62毫欧上漏源电阻

• 漏源击穿电压

• 11ns到57ns上升时间

• 9.6ns至21ns下降时间

• 典型延迟时间

  • 4.4ns至20ns导通范围

  • 22ns至83ns关断范围

• 93W ~ 312W功耗范围

• 可用的包

  • - 247 - 4 - l

  • - 247 - n - 3

  • - 263 - 7 - l

  •