TLV272IDR 点击型号即可查看芯片规格书
产品型号 | TLV272IDR |
描述 | IC CMOS 2电路8SOIC |
分类 | 集成电路(IC)，线性-放大器-仪表，运算放大器，缓冲放大器 |
制造商 | 德州仪器 |
打包 | 切割带(CT) |
零件状态 | 活性 |
电压-电源，单/双(±) | 2.7V〜16V，±1.35V〜8V |
工作温度 | -40°C〜125°C |
包装/箱 | 8-SOIC(0.154英寸，3.90mm宽度) |
供应商设备包装 | 8-SOIC |
基本零件号 | TLV272 |
TLV272IDR
制造商包装说明 | SOIC-8 |
符合REACH | 是 |
符合欧盟RoHS | 是 |
符合中国RoHS | 是 |
状态 | 活性 |
功放类型 | 运算放大器 |
结构 | 电压反馈 |
平均偏置电流最大值(IIB) | 6.0E-5 µA |
偏置最大电流(IIB)@ 25C | 6.0E-5 µA |
共模抑制比 | 80.0分贝 |
共模抑制比-最小值 | 65.0分贝 |
频率补偿 | 是 |
输入失调电流最大值(IIO) | 6.0E-5 µA |
输入失调电压最大值 | 5000.0 µV |
JESD-30代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
低偏见 | 是 |
低偏移 | 没有 |
微功率 | 没有 |
负电源电压极限最大值 | -8.25伏 |
负电源电压标称(Vsup) | -5.0伏 |
功能数量 | 2 |
端子数 | 8 |
最低工作温度 | -40℃ |
最高工作温度 | 125℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | SOP |
包装等效代码 | SOP8，.25 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 小轮廓 |
包装方式 | TR |
峰值回流温度(℃) | 260 |
功率 | 没有 |
可编程功率 | 没有 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 1.75毫米 |
摆率标称 | 2.1 V /秒 |
最小摆率 | 1.0 V /秒 |
子类别 | 运算放大器 |
最大电源电流 | 0.66毫安 |
电源电压极限最大值 | 8.25伏 |
电源电压标称(Vsup) | 5.0伏 |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | CMOS |
温度等级 | 汽车业 |
终端完成 | 镍/钯/金(Ni / Pd / Au) |
终端表格 | GULL WING |
端子间距 | 1.27毫米 |
终端位置 | 双 |
时间@峰值回流温度-最大(秒) | 未标明 |
统一增益BW-Nom | 3000.0 kHz |
最小电压增益 | 70795.0 |
宽频 | 没有 |
长度 | 4.9毫米 |
宽度 | 3.9毫米 |
RoHS状态 | 符合ROHS3 |
水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
550µA /通道电源电流
39nV /√Hz输入噪声电压
1pA输入偏置电流
2µV /°C，典型失调漂移
80dB典型CMRR
绿色产品，无Sb / Br
产业
TLV272IDR符号
TLV272IDR脚印
德州仪器(TI)总部位于美国德克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构;其以开发、制造、销售半导体和计算机技术闻名于世，主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。其中德州仪器的半导体产品几乎占了其收入的85%(2003年数据)。
