东芯半导体Parallel NAND Flash 兼容传统的并行接口标准，适合大数据的读写，工艺制程24nm即将实现量产。
在NAND Flash领域，24nm是目前国内领先的工艺制程，东芯半导体在国内领先的24nm的工艺制程上也有突破，也即将实现量产。因此，东芯的24nm Parallel NAND Flash在访问速率及功耗都更具优势，关键技术且都具有自主专利。
产品规格：
容量：1Gb/2Gb/4Gb/8Gb
电压：1.8V/3.3V
温度：-40°C~85°C
线宽：x8/x16
速度：20ns/25ns,30ns/45ns
封装：TSOP48,VFBGA63,VFBGA67,KGD
先进工艺制程，严格产品把控
24nm先进工艺制程。缩小器件的特征尺寸，降低功耗，降低成本，提高产品竞争力。
功能上对标同类产品，合格jedec标准，接口及操作时序均一致，设置超过500项的仿真验证项，确保设计成功，可直接进行国产替代。主要产品指标比如电压，接口位宽，page size，Random access time，Page program time，data retention等也均和国际一流产品一致。通用的并行接口，MID/DID以及parameter页等设置也符合JEDEC标准，支持LEGACY/ONFI 1.0 COMMAND SET指令集，具备更好的兼容性。
多方面提高产品可靠性
东芯的24nm NAND通过自主研发使用BCH码实现ECC 8bit/512Byte功能，极大提升产品可靠性，实现了存储单元与功能单元的高度集成在同一颗芯片内，减少芯片成品面积，缩短存储数据的读写时间。
东芯设计的ECC模块可以校验高达8bit的错误数据，以512Byte大小闪存单元为例，当其中存储的数据出现错误的位数在8位及8位以下时，ECC模块可以精准识别并自动修改错误数据，大幅度提升存储芯片的容错性和可靠性。
使用高可靠性CAM模块，提高可靠性。
使用多种可选通过电压的方式，实现局部自电位升压，在编写操作时有效保护非目标单元，极大地提高产品可靠性。
低功耗下的高效访问速率
高性能的数据访问，通过内部buffer可以提供数据吞吐量，一页从存储阵列到数据寄存器小于25微秒。1.8V连续读写的时钟周期为30纳秒，而3.3V仅需20纳秒。典型的页写入时间达到200微秒。
东芯的24nm NAND不用借助外部缓冲就可以实现快速的页拷贝;独立的/WP引脚可以实现对存储数据擦/写的硬件保护。
Functional block diagram如下图所示，以8Gb为例：
由此可见，标准并行通讯接口与CPU交互，并通过内部命令控制逻辑传达指令到内部，数据读取时Data register首先缓存，再通过IO送出。
同时，东芯使用独立的LDO模块分别给核心模块与电压泵模块供电，在确保供电稳定的前提下节省静待功耗。使用步进式+多次式方法进行编写/擦除操作，也对单元阈值电压精准控制。
对标最高工艺制程，不断提升性能，东芯半导体24nm Parallel NAND Flash 即将实现量产。
