Yole专门从事封装和组装的技术和市场分析师 Stefan Chitoraga断言：“2021 年，顶级参与者封装资本支出投资约为 116 亿美元。”
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英特尔是最大的投资者，投资了35亿美元。它的 3D 芯片堆叠技术是 Foveros，它包括在有源硅中介层上堆叠裸片。嵌入式多裸片互连桥（EMIB）是其 2.5D 封装解决方案，采用 55 微米凸块间距。Foveros 和 EMIB 的结合产生了 Co-EMIB，用于 Ponte Vecchio GPU。英特尔计划为 Foveros Direct 采用混合键合技术。
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台积电紧随其后，资本支出为 30.5 亿美元。在通过 InFO 解决方案为 UHD FO （超高密度扇出）争取更多业务的同时，台积电还在为 3D SoC 定义新的系统级路线图和技术。其 CoWoS 平台提供 RDL（重分布层）或硅中介层等解决方案，而其 LSI 平台是 EMIB 的直接竞争对手。台积电已成为高端封装巨头，拥有领先的 FE 先进节点，使其能够主导下一代系统级封装。
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ASE 拥有估计 20 亿美元的资本支出，是最大也是唯一一个试图在封装领域与代工厂和 IDM 竞争的 OSAT（外包半导体组装和测试）。凭借其 FoCoS 产品，ASE 也是目前唯一具有 UHD 扇出解决方案的 OSAT。
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紧随 ASE 的是三星。三星拥有类似于 CoWoS-S 的 I-Cube 技术。三星是 3D 堆叠内存解决方案的领导者之一，提供 HBM 和 3DS。它的 X-Cube 将使用混合键合互连。
《国际电子商情》留意到OSAT在财务和前端能力方面，已无法在先进封装竞赛中与英特尔、台积电和三星等大公司并驾齐驱。因此，他们是行业追随者地位。
