意法半导体EVSTGAP2GSN演示板的介绍、特性、及应用

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意法半导体EVSTGAP2GSN演示板有助于对STGAP2GSN隔离单栅极驱动器进行广泛的评估。STGAP2GSN具有2A源和3A汇聚能力以及轨对轨输出，适用于中大功率逆变器应用。该器件采用专用栅极电阻独立优化导通和关断。

意法半导体EVSTGAP2GSN板允许评估驱动SGT120R65AL 75毫欧， 650V e-Mode GaN晶体管的所有STGAP2GSN功能。电路板元件易于存取和修改，便于不同应用条件下的驱动器性能评估和最终元件的精细调整。

特性

• 规格
  

  • 半桥式配置，高压导轨可达650V

  • SGT120R65AL带650V, 75毫欧型。， 15A, e模功率晶体管

  • 负栅驱动

  • 板载隔离DC-DC转换器提供高侧和低侧栅极驱动器，由VAUX = 5V馈电，最大隔离为1.5kV

  • VDD逻辑由板载3.3V或VAUX = 5V提供

  • 方便跳线选择驱动电压配置:+6V/0V;3 + 6 v / v

• 设备
  

  • 1700V功能隔离

  • 驱动电流能力:在+25°C, VH = 6V时，2A/3A源/汇

  • 单独的水槽和源，方便栅极驱动配置

  • 45ns输入输出传播延迟

  • 针对GaN优化的UVLO功能

  • 栅极驱动电压可达15V

  • 3.3V、5V TTL/CMOS输入带迟滞

  • 温度停机保护

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