EVSTGAP2GSN 点击型号即可查看芯片规格书
意法半导体EVSTGAP2GSN演示板有助于对STGAP2GSN隔离单栅极驱动器进行广泛的评估。STGAP2GSN具有2A源和3A汇聚能力以及轨对轨输出，适用于中大功率逆变器应用。该器件采用专用栅极电阻独立优化导通和关断。
意法半导体EVSTGAP2GSN板允许评估驱动SGT120R65AL 75毫欧， 650V e-Mode GaN晶体管的所有STGAP2GSN功能。电路板元件易于存取和修改，便于不同应用条件下的驱动器性能评估和最终元件的精细调整。
规格
半桥式配置，高压导轨可达650V
SGT120R65AL带650V, 75毫欧型。， 15A, e模功率晶体管
负栅驱动
板载隔离DC-DC转换器提供高侧和低侧栅极驱动器，由VAUX = 5V馈电，最大隔离为1.5kV
VDD逻辑由板载3.3V或VAUX = 5V提供
方便跳线选择驱动电压配置:+6V/0V;3 + 6 v / v
设备
1700V功能隔离
驱动电流能力:在+25°C, VH = 6V时，2A/3A源/汇
单独的水槽和源，方便栅极驱动配置
45ns输入输出传播延迟
针对GaN优化的UVLO功能
栅极驱动电压可达15V
3.3V、5V TTL/CMOS输入带迟滞
温度停机保护
