意法半导体EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化，可驱动高压增强模式GaN hemt。该器件具有集成的自举二极管，可提供高达20V的外部开关，并具有专为GaN hemt定制的欠压保护。
意法半导体EVSTDRIVEG60015板易于使用，可快速适应，用于评估驱动SGT120R65AL 75毫欧型的STDRIVEG600的特性。， 650V E-Mode GaN开关。该板提供板载可编程死区时间发生器和3.3V线性稳压器，以提供外部逻辑控制器，如微控制器。
包括备用足迹支持为最终应用定制电路板，例如单独的LIN和HIN输入信号或单个PWM信号，使用可选的外部自引导二极管，VCC, PVCC或BOOT的单独电源，以及使用峰值电流模式拓扑的低侧分流电阻。EVSTDRIVEG60015是50mm x 70mm宽，FR-4 PCB导致+25°C/W R(th(J-A))在静止空气中。
