DS2148 ; DS21348 ; DS21Q48 ; DS21448 点击型号即可查看芯片规格书
本应用说明提供了DS2148/DS21348/DS21Q48/DS213Q48和DS21448的寄存器设置，以配置发射器的脉冲幅度不同于各自数据表中记录的线路构建(LBO)模式。下表列出了3.3V (DS21348, DS21Q348)和5V (DS2148, DS21Q48)器件的寄存器设置并定义了产生的脉冲幅度。
表1 DS21348, DS21Q348寄存器设置
工作电压:3.3V (VSM引脚接线低)
适用器件:DS21348、DS21Q348
适用器件修订:A2、B1、C1和C2 (DS21Q348)
工作模式:E1
| L2 (CCR4.7) | L1 (CCR4.6) | L0 (CCR4.5) | 应用程序 | 典型的变化 脉冲幅度 | 返回 损失(dB) | Rt(欧姆) |
| 0 | 1 | 0 | 75欧姆正常 | 7%增强超过LBO设置0 | 新墨西哥州 | 0 |
| 0 | 1 | 1 | 120欧姆正常 | 8%增强超过杠杆收购设置1 | 新墨西哥州 | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 120欧姆正常，收益损失高 | 8%衰减超过杠杆收购设定5 | 21 | 9.1 |
| 1 | 1 | 1 | 120欧姆正常，收益损失高 | 4%衰减超过杠杆收购设定5 | 21 | 10 |
N.M. =没有意义
表2 DS2148, DS21Q48寄存器设置
工作电压:5V (VSM引脚线高)
适用器件:DS2148、DS21Q48
适用器件修订:A2、B1、C1和C2 (DS21Q48)
工作模式:E1
| L2 (CCR4.7) | L1 (CCR4.6) | L0 (CCR4.5) | 应用程序 | 典型的变化 脉冲幅度 | 返回 损失(dB) | Rt(欧姆) |
| 0 | 1 | 0 | 75欧姆正常 | 10％增强超过LBO设置0 | 新墨西哥州 | 0 |
| 0 | 1 | 1 | 120欧姆正常 | 10％增强超过杠杆收购设置1 | 新墨西哥州 | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 120欧姆正常，收益损失高 | 10％衰减超过杠杆收购设定5 | 21 | 22 |
| 1 | 1 | 1 | 120欧姆正常，收益损失高 | 10％增强超过杠杆收购设定5 | 21 | 33 |
除了这些设置之外，根据表3，通过设置测试寄存器2(地址14h)，可以在以下设备中获得额外的脉冲幅度。
表3 附加脉冲幅度设置
| 操作模式 | 适用的设备 | 适用的设备修订 | TEST2(地址14h)寄存器设置 | 典型的变化 脉冲幅度 |
| E1 | DS21348, DS21Q348 | C1 | D0 | 38%增强超过LBO设置0、1、2和3 |
| Ds21348, ds21q348, ds2148, ds21q48 | C1 | E0 | 19%增强超过LBO设置0、1、2和3 | |
| T1 / j - 1 | DS21348, DS21Q348 | C1 | D0 | 38%增强超过LBO设置0、5、6和7 |
| Ds21348, ds21q348, ds2148, ds21q48 | C1 | E0 | 19%增强超过LBO设置0、5、6和7 | |
| E1 | DS21448 | A1 | D0 | 33%增强超过LBO设置0、1、2和3 |
| T1 / j - 1 | DS21448 | A1 | D0 | 33%增强超过LBO设置0、5、6和7 |
除了上述设置之外，在地址14h(寄存器TEST2)中写入十六进制BO可以减少波形的任何环形趋势。
要了解有关测试Dallas Semiconductor线接口单元和收发器以符合T1/J1和E1脉冲掩模规范的更多信息，请参阅应用说明397:脉冲模板测量
