onsemi NVMFWS002N10MCL单n沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用

NVMFWS002N10MCL  点击型号查看芯片规格书

ON Semiconductor(安森美) 芯片规格书大全

芯片规格书搜索工具-icspec

onsemi NVMFWS002N10MCL单n沟道功率mosfet具有177A连续漏极电流，2.8毫欧在10V R(DS(ON))和100V漏极源电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽车应用的理想选择。

特性

• 占地面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑

• 低R(DS(on))，最小化传导损耗

• 低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗

• 通过aec - q101认证，具备PPAP能力

• 无铅，无卤素/无溴化阻燃，无铍，符合rohs标准

应用程序

• 48 v系统

• 开关电源

• 电池反保护

• 电源开关(高侧驱动、低侧驱动、h桥等)

规范

• 最大连续漏极电流177A

• 2.8毫欧在10V或3.8毫欧在4.5V R(DS(ON))最大

• 100V漏源电压

• ±20V栅源电压

• 脉冲漏极电流

• -55°C至+175°C工作结和存储温度范围

典型的应用程序