国产存储—长江存储
电子技术
2024-04-30 10:38
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长江存储总部位于武汉，是紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省科投等，负责武汉国家存储器项目的运营。
2015年，9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证。
2016年，第一代3D NAND闪存测试芯片设计完成。
2017年，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了国内首款3D NAND闪存。
2018年，第二代3D NAND闪存首次流片，第一代3D NAND闪存实现量产。
2019年，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代3D NAND闪存实现量产。第三代TLC 3D NAND（X2-9060）设计完成并流片。
2020年，第三代QLC3D NAND(X2-6070)研发成功消费级SSD上市，eMMC/UFS嵌入式存储通过客户验证。
2021年，第三代 TLC/QLC NAND（X2-9060/X2-6070）量产，eMMC/UfS量产出货。
2022年，基于第三代NAND的系统解决方案上市。
IDM，可提供3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品。
主要包括：3D NAND闪存芯片、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等。
企业级产品品牌均为长江存储，个人用户产品品牌为致态。
EC230系列：基于长江存储晶栈®Xtacking®3.0三维闪存架构，接口支持eMMC 5.1，最大顺序读取330MB/s，支持动态SLC缓存，有64GB、128GB、256GB三种容量设计。
EC110系列：基于长江存储晶栈®Xtacking®3.0三维闪存架构，接口支持eMMC 5.1，支持动态SLC缓存，有32GB、64GB、128GB三种容量设计。
UC033：基于于晶栈(®)Xtacking(®) 3.0技术，支持JEDEC UFS3.1标准，容量支持128GB、256GB、512GB。
UC234：采用长江存储第三代三维闪存芯片，支持JEDEC UFS2.2标准，有64GB、128GB、256GB三种容量。
UC023：基于晶栈®Xtacking®2.0三维闪存架构，支持JEDEC UFS3.1标准，有128GB、256GB、512GB三种容量。
晶栈(®)Xtacking(®) 是长江存储核心技术，是其面向企业客户、消费者推广3D NAND产品的关键所在。
在晶栈(®)Xtacking(®) 架构推出前，市场上的3D NAND主要分为传统并列式架构和CuA（CMOS under Array）架构。
晶栈(®)Xtacking(®) 架构可以将晶圆键合这一关键技术在3D NAND闪存上得以实现。在指甲盖大小的面积上实现数十亿根金属通道的连接，合二为一成为一个整体，拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现。
随着层数的不断增高，基于晶栈(®)Xtacking(®) 所研发制造的3D NAND闪存将更具成本优势。
转自-懂点技术的采购YJ
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